[实用新型]一种增强静态随机存储器写操作的电路

权利要求书

1.一种增强静态随机存储器写操作的电路，其特征在于，包括：存储单元阵列、字线高电压发生器（S1）、位线高电压发生器（S2）、位线负电压发生器（S3）、写驱动器（S4）、字线驱动器（S5）、位选驱动器（S6）和位线选择器阵列（S7）；字线驱动器（S5）连接存储单元阵列，位线选择器阵列（S7）包括多列，每列连接存储单元阵列中对应的一列；写驱动器（S4）的第一输出线（WRBL）经由位选选择器阵列（S7）连接所有第一位线（BL），写驱动器（S4）的第二输出线（WRBLN）经由位选选择器阵列（S7）连接所有第二位线（BLN）；位选驱动器（S6）通过多个位选信号线连接对应行的位线选择器；字线高电压发生器（S1）连接字线驱动器（S5）和位选驱动器（S6）；位线高电压发生器（S2）和位线负电压发生器（S3）连接写驱动器（S4）。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述字线高电压发生器（S1）为字线驱动器（S5）和位选驱动器（S6）供电，所产的电压高于位线高电压发生器（S2）所产的电压。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述位线高电压发生器（S2）为写驱动器（S4）供电，所产的电压低于字线高电压发生器（S1）所产的电压，但高于存储单元的电源电压。

4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述位线负电压发生器（S3）为写驱动器（S4）供电，所产的电压低于存储单元的地电压。

5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，写驱动器（S4）包括第一方向器（1）、第二反相器（2）、第一与非门（3）、第一或非门（4）、第二与非门（5）、第二或非门（6）、第一高压开关晶体管（DPH）、第一负电压开关晶体管（DPL）、第二高压开关晶体管（DNPH）和第二负电压开关晶体管（DNPL）；写使能输入线（WE）连接第一方向器（1）的输入端、第一与非门（3）的第一输入端和第二与非门（5）的第一输入端；数据输入线（DIN）连接第二反相器（2）的输入端、第一与非门（3）的第二输入端和第一或非门（4）的第二输入端；第一方向器（1）的输出端连接第一或非门（4）的第一输入端和第二或非门（6）的第一输入端；第二反相器（2）的输出端连接第二与非门（5）的第二输入端和第二或非门（6）的第二输入端；第一高压开关晶体管（DPH）连接位线高电压发生器（S2）、第一输出线（WRBL）和第一与非门（3）的输出端；第一负电压开关晶体管（DPL）连接位线负电压发生器（S 3）、第一输出线（WRBL）和第一或非门（4）的输出端；第二高压开关晶体管（DNPH）连接位线高电压发生器（S2）、第二输出线（WRBLN）和第二与非门（5）的输出端；第二负电压开关晶体管（DNPL）连接位线负电压发生器（S3）、第二输出线（WRBLN）和第二或非门（6）的输出端。

6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述字线驱动器（S5）和位选驱动器（S6）结构相同，均包括第三反相器（7）、第一晶体管和（PH）和第二晶体管（PL）；第一晶体管和（PH）连接第三反相器（7）的输出端、字线高电压发生器（S1）和字线（WL）或位选线（MUX）；第二晶体管和（PL）连接第三反相器（7）的输出端、位线负电压发生器（S 3）和字线（WL）或位选线（MUX）。

7.如权利要求1所述的电路，其特征在于，字线高电压发生器（S1）产生的电压大于或等于位线高电压发生器（S2）所产的电压与存储器开关晶体管阈值电压之和。