[实用新型]一种石英支架有效
| 申请号: | 201220655546.7 | 申请日: | 2012-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN203013693U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
| 发明(设计)人: | 李洋 | 申请(专利权)人: | 茂迪(苏州)新能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 石英 支架 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制程设备,特别是涉及一种用于扩散炉管的石英支架。
背景技术
光伏发电是太阳能很重要的一种应用,其核心是利用光伏效应将太阳能转换为电能的太阳能电池,转换效率是衡量太阳能电池质量高低的标准。对于晶体硅太阳能电池,使用卧式扩散炉在硅基片上扩散制备PN结质量的好坏直接影响太阳能电池转换效率,薄层电阻均匀性是衡量PN结质量好坏的标准。因此,如何提高扩散薄层电阻均匀性是业内广泛关注的课题之一。
对于卧式扩散炉,硅基片由摆放在石英支架上的多个石英晶舟承载,放入炉管内通入化学气体在高温条件下对硅基片进行扩散。若硅基片所处位置的化学气体浓度不均匀,将导致硅基片的扩散薄层电阻不均匀。图1~图2显示为现有技术中的石英支架侧视结构及俯视结构示意图,图3~图4分别显示为其左视和右视结构示意图,由图1~图4可见,现有的石英支架包括两侧板101、102、两平板105、106、及两横杆103、104,所述两横杆103、104在两侧板上101、102的固定高度h1相等,即该石英支架为水平结构。一般来说,在炉管内靠近化学气体入口的区域,硅基片顶部方阻值偏低,底部方阻值偏高;而在靠近炉管内尾气出口的区域,硅基片顶部方阻值偏高,底部方阻值偏低。因此,采用这种水平结构的石英支架,往往会导致气体在各该硅片上的扩散不均匀,而导致制程质量的降低。
因此,提供一种能提高气体扩散均匀度的新型结构的石英支架实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种石英支架,用于解决现有技术中的石英支架由于采用水平结构而容易导致气体在硅片上扩散不均匀的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种石英支架,至少包括:
间隔置于第一平面上的第一侧板及第二侧板;
连接于所述第一侧板及第二侧板之间的至少两个相互平行的横杆,且各该横杆与所述第一平面呈预设角度倾斜。
作为本实用新型的石英支架的一种优选方案,所述第一平面平行于水平面。
作为本实用新型的石英支架的一种优选方案,所述预设角度为0.5~2度。
进一步地,所述预设角度为1度。
作为实用新型的石英支架的一种优选方案,还包括两片平板,分别装设于所述第一侧板及第二侧板的顶部。
作为本实用新型的石英支架的一种优选方案,所述第一侧板及第二侧板上具有与各该横杆对应的卡槽,各该横杆通过各该卡槽卡接于所述第一侧板及第二侧板。
作为本实用新型的石英支架的另一优选方案,所述第一侧板、第二侧板与各该横杆以高温烧结的方式固定连接。
如上所述,本实用新型提供一种石英支架,至少包括:间隔置于第一平面上的第一侧板及第二侧板;连接于所述第一侧板及第二侧板之间的至少两个相互平行的横杆,且各该横杆与所述第一平面呈预设角度倾斜。具有以下有益效果:本实用新型将承载石英晶舟的石英支架倾斜一预设角度,使炉管内化学气体入气口及出气口的硅基片更靠近化学气体浓度均匀的区域,提升硅基片的薄层电阻均匀性。
附图说明
图1显示为现有技术中的石英支架侧视结构示意图。
图2显示为现有技术中的石英支架俯视结构示意图。
图3显示为现有技术中的石英支架左视结构示意图。
图4显示为现有技术中的石英支架右视结构示意图。
图5显示为本实用新型的石英支架侧视结构示意图。
图6显示为本实用新型的石英支架俯视结构示意图。
图7显示为本实用新型的石英支架左视结构示意图。
图8显示为本实用新型的石英支架右视结构示意图。
图9显示为扩散炉管中的气场分布图。
图10显示为扩散炉管不同区域的实际采样片与理想状态下采样片形成的电阻薄层的方阻差值示意图。
元件标号说明
2 石英支架
201 第一侧板
202 第二侧板
203、204 横杆
205、206 平板
207 第一平面
3 扩散炉管
31 进气端
32 排气端
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





