[实用新型]阵列基板、液晶面板、公共电极及公共电极线有效

专利信息
申请号: 201220653517.7 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN202939397U 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 田明;刘家荣;姚之晓;郤玉生 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶面板 公共 电极
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、液晶面板、公共电极及公共电极线。

背景技术

液晶显示器包括以矩阵形式设计的阵列基板,以及驱动这些阵列基板的驱动电路,通过液晶盒内电场的变化来实现液晶分子的偏转,从而达到显示效果。坏点(本实用新型中将所有不能正常显示的点统称为坏点。)就是液晶显示板上不可修复的像素,其除了人为损坏之外,多是在生产过程中由于亮斑部位的屏幕内部取向层遭到破坏所致。

目前,像素坏点修复所利用的原理是将公共电极线与像素电极焊接起来,同时切断信号线与像素电极的连接,实现公共电极与像素电极电势差为零,即通过控制液晶,让其不再发生偏转来实现将坏点变为暗点的目的。

但理论上可行的此种修复方法由于工艺问题,故成功率并不高,其原因有以下两点:(1)从薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,缩写为TFT)侧进行焊接时无法找到像素电极;(2)由于公共电极与像素电极间有栅绝缘层和钝化层的间隔(厚度约为),而像素电极仅有所以很难实现公共电极与像素电极的良好焊接,通常情况下焊接处电阻过大,二者不能形成一个等势体,公共电极和像素电极之间仍旧有电压存在,这样就会导致修复失败,甚至适得其反,由于公共电极耦合像素电极,这样即使切断信号线与像素电极的连接,坏点修复也会失败,甚至经常导致所修复的像素在切断电源后持续发亮,很长一段时间后才逐渐变暗。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板、液晶面板、公共电极及公共电极线,用以解决现有技术中像素坏点修复的成功率低的问题,并且可以提高像素坏点修复的工作效率。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括:基板、栅线、数据线、矩阵过孔、像素电极、公共电极线和多个与该公共电极线电连接的公共电极,其中,所述公共电极线上设置有与每个公共电极相对应的掏空部。

本实用新型实施例提供的一种液晶面板,包含所述的阵列基板。

本实用新型实施例提供了一种公共电极线,包括用于导电的本体,所述本体上设置有与每个公共电极相对应的掏空部。

本实用新型实施例提供的一种公共电极,包括用于导电的本体,所述本体上具有用于与所述公共电极线相连的外凸部。

本实用新型实施例通过构造具有特殊形状的公共电极和公共电极线,即在公共电极线上设置有与每个公共电极相对应的掏空部,使得后续在需要断开某一公共电极与公共电极线的连接时,操作更为便捷,例如可以利用激光切割公共电极线来实现修复,这样既不会影响坏点周围像素的正常显示,又可以保证公共电极线的矩阵结构不被破坏,有效提高了像素坏点修复的成功率。

附图说明

图1为阵列基板整体平面示意图;

图2为沿图1中A’—A线的剖视图;

图3为公共电极线中特定结构可能的其它形状示意图;

图4为完成公共电极构图工艺的结构示意图;

图5为完成栅线、栅电极和公共电极线构图工艺的结构示意图;

图6为完成有源层、数据线、漏电极、源电极、TFT沟道构图工艺的结构示意图;

图7为形成亚像素连接过孔后的结构示意图;

图8为像素坏点修复公共电极线的切割位置结构示意图;

图9为普通亚像素坏点修复的切割位置结构示意图;

图10为矩阵亚像素坏点修复的切割位置结构示意图。

具体实施方式

本实用新型实施例提供了一种阵列基板、液晶面板、公共电极及公共电极线,用以解决现有技术中像素坏点修复的成功率低的问题,并且可以提高像素坏点修复的工作效率。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板的平面俯视图如图1所示,部分剖面结构如图2所示,该剖面图是图1中虚线A’—A位置所对应的结构剖面图,结合此剖面图有助于更好的理解各部分结构之间的位置关系。

从图1和图2中可以看出,该阵列基板包括基板1、栅线4、栅绝缘层5、数据线6、钝化层7、矩阵过孔8和像素电极9,公共电极线3和多个与该公共电极线3相连的公共电极2,其中,所述公共电极线3上设置有与每个公共电极2中的外凸部10相对应的掏空部11。

较佳的,所述掏空部11的形状为凹形,当然掏空部11的形状也可以为其它形状,例如图3所示的三角形,或者也可以为圆形、矩形等。

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