[实用新型]一种阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括薄膜晶体管TFT和第一透明电极，其特征在于，还包括： 

依次形成于阵列基板表面的金属氧化物薄膜和刻蚀阻挡层薄膜； 

所述金属氧化物薄膜的图形和所述刻蚀阻挡层薄膜的图形通过一次构图工艺形成； 

通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域包括所述第一透明电极。 

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 

所述刻蚀阻挡层薄膜的图形位于所述金属氧化物薄膜图形表面，且覆盖TFT的沟道区域。 

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述通过金属化处理的所述金属氧化物薄膜的图形区域还包括： 

半导体有源层，所述半导体有源层位于所述刻蚀阻挡层薄膜下； 

用于与所述TFT的源极电连接的源连接电极、用于与所述TFT的漏极电连接的漏连接电极以及第一透明电极，所述漏连接电极与所述第一透明电极为一体结构。 

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括： 

位于所述透明基板和所述金属氧化物薄膜之间的栅线、栅电极以及公共电极线； 

位于所述栅线、所述栅电极以及所述公共电极线和所述金属氧化物薄膜之间的栅绝缘层。 

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括： 

位于所述刻蚀阻挡层薄膜和所述第一透明电极的表面的数据线、所述TFT的源极以及所述TFT的漏极； 

位于所述数据线、所述TFT的源极以及所述TFT的漏极的表面的含有过孔的钝化层，所述过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，露出公共电极线； 

位于所述钝化层表面的第二透明电极，所述第二透明电极通过所述过孔与所述公共电极线电连接。 

6.根据权利要求1至5任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极。 

7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至6任一所述的阵列基板。