[实用新型]一种共模电流抑制电路

说明书

技术领域

本实用新型属于EMC(Electromagnetic Compatibility)电磁兼容领域，具体涉及一种共模电流抑制电路。

技术背景

随着电子、电气、通信、计算机技术的迅速发展，电磁兼容性在工业、科研、民用和军事领域的重要意义愈来愈引起人们的高度重视。其中传导和辐射电磁干扰可能导致与附近的或共用电源的其它电子设备之间产生严重的电磁干扰问题，甚至可能影响人体健康。因此各种国际和国内的电磁兼容标准和规范相继强制执行，使得EMI成为一个急待解决的问题。其中共模EMI在总的EMI中通常占据主导地位。共模EMI源自变换器电路中高dv/dt部位(即存在由器件开关导致的跃变电压的部位)，通过相线、对地寄生电容和地构成共模电流的流通回路。此外，共模电流所流经的回路面积远比差模大，因此共模电流同时还是高频辐射干扰的主要成因。

现有技术中主要通过无源滤波电路滤除共模电磁干扰，图1所示的电路就是现有的共模滤波电路，通常称为EMI滤波器，EMI滤波器主要依靠电容，电感等无源器件进行滤波，其体积大，成本高，而且其滤波性能不仅依赖于滤波器本身，而且依赖于噪声源和噪声负载阻抗，EMI滤波器要想充分发挥性能，阻抗必须很好的匹配。对于电力电子装置来说，EMI滤波器的噪声源就是装置本身，噪声源阻抗随着开关拓扑变化而变化。噪声负载是电网，阻抗条件也在不停地发生变化。因而当EMI滤波器用于实际装置时，衰减情况难以确定，甚至在某些频率点还会产生负作用，其滤波能力有限。而且滤波器一旦接入电路便无法修改，灵活性差。

实用新型内容

本实用新型就是为了克服上面的不足，提出了一种共模电流抑制电路，利用软件控制方法减小了硬件电路体积，灵活性好，滤波能力强。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：一种共模电流抑制电路，包括共模变压器L，采样电阻R，智能控制单元M C U，第一场效应管Q 1，第二场效应管Q 2，第一电容C y 1，第二电容C y 2，第三电容C 1，第四电容C 2，第五电容C0，输入正端Vin+，输入负端Vin-，输出正端Vout+，输出负端Vout-和直流稳压电压源V C。第一电容C y 1一端接输入正端Vin+和共模变压器L同名端，另一端接地，第二电容C y 2一端接输入负端Vin-和共模变压器L同名端，另一端接地，采样电阻R接共模变压器L一绕组两端，第一场效应管Q1栅极接第二场效应管Q2栅极并接入智能控制单元MCU，第一场效应管Q1源极接第二场效应管Q2源极并接入智能控制单元MCU，第五电容C0一端接第一场效应管Q1源极，另一端接地，直流稳压电压源V C正极接第一场效应管Q1漏极，直流稳压电压源V C负极接第二场效应管Q2漏极，第三电容C1一端接输出正端Vout+，另一端接直流稳压电压源V C正极，第四电容C 2一端接输出负端Vout-，另一端接第二场效应管Q2漏极。

电路工作时，由共模变压器绕组3上感应出共模电流，经过采样电阻R变换成相应的共模电压以便于智能控制单元M C U进行处理，控制由第一场效应管Q 1和第二场效应管Q 2所组成的推挽补偿电路产生与共模电流源大小相等方向相反的补偿电流，再经过第三电容C 1和第四电容C 2反馈到电路中达到抑制共模电流的目的。

其中，所述的一共模变压器L共有3个绕组，绕组1，绕组2，绕组3.

其中，所述的共模变压器L绕组1，绕组2接入电路中，其中绕组1一端1A接输入正端Vin+另一端1B接输出正端Vout+，绕组2一端2A接输入负端Vin-另一端2B接输出负端Vout-，绕组3一端3A接采样电阻R一端，绕组3另一端3B接采样电阻R另一端。采样电阻R感应出共模电流，经过变换成相应的共模电压以便于智能控制单元M C U进行处理。

其中，所述的共模变压器绕组1的1A端和绕组的2A端以及绕组3的3A端是同名端。

其中，所述的第一场效应管Q1是PNP结构，第二场效应管Q 2是N P N结构，且第一场效应管Q1和第二场效应管Q 2开关性能一致组成推挽补偿电路。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1，利用软件控制方法可以节省硬件电路，减小电路体积，便于集成。

2，利用软件控制方法可以使控制更加方便，电路灵活性强，便于修改。

3，电路结构简单成本低，经济实惠。

4，电路抑制共模电流能力更强。

附图说明

图1是现有共模滤波电路的电路原理图；