[实用新型]一种阵列温度传感器有效
| 申请号： | 201220650518.6 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN203011566U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林志娟 | 申请（专利权）人： | 林志娟 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315040 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 温度传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种阵列温度传感器，包括底电极、顶电极、温敏材料层，其特征在于：
所述的底电极、温敏材料层、顶电极为均匀分布的阵列；
所述的底电极为第一层，温敏材料层为第二层，顶电极为第三层，且底电极、顶电极构成交叉结构。
2.根据权利要求1所述的一种阵列温度传感器，其特征在于：所述的底电极、顶电极由导电材料构成，温敏材料层为金属铂。
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