[实用新型]一种浪涌抑制电路有效
| 申请号： | 201220645287.X | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN202940585U | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 魏秀梅 | 申请（专利权）人： | 余姚亿威电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人： | 郑洪成 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 抑制 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种浪涌抑制电路，其特征在于，包括：电压输入端、电压输出端、第一场效应管、第二场效应管、电阻、PWM输入端，所述的第一场效应管的源极与所述的电压输入端连接，所述的第二场效应管的源极与所述的电压输入端连接，所述的电阻一端与所述的电压输入端连接，所述第一场效应管的漏极与所述的电阻另一端及所述的电压输出端连接，所述的第二场效应管的漏极与所述的电阻另一端连接，所述的第一场效应管的栅极与所述的PWM输入端连接，所述的第二场效应管与所述的PWM输入端连接。
2.如权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述的第一场效应管为N沟道功率MOS管，所述的第二场效应管为P沟道功率MOS管。
3.如权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述的第一场效应管为P沟道功率MOS管，所述的第二场效应管为N沟道功率MOS管。
4.如权利要求2或3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述的PWM由外部电路提供。
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