[实用新型]一种三工位多线切割工作台有效
申请号: | 201220640904.7 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN203046012U | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 郭红慧;范猛;张雪囡;孙红永;蒲福利;张磊;王帅 | 申请(专利权)人: | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/00 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 李莉华 |
地址: | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三工位多线 切割 工作台 | ||
技术领域
本实用新型属于晶体线切割技术领域,尤其是涉及一种实现半导体单晶三工位多线切割的工作台。
背景技术
经过几十年的快速发展,半导体单晶的切割由最初的内(外)圆切割技术发展为目前普遍采用的多线切割技术,在成本降低以及产品质量提高方面都取得极大的进步。
切割钢线在高速转动的主辊带动下,携带由喷嘴喷出的砂浆对晶体材料进行磨削与切割。目前采用的多线切割机主要有两种:单工位切割机和双工位切割机。早期的多线切割机一般采用单工位切割,即一次只能加工一根单晶;后期较为先进的多线切割机采用双工位切割,即一次能够加工两根单晶。目前在加工8英寸或8英寸以上的单晶时,所用到的多线切割机一般为单工位切割。现行单晶切割设备中,有限的切割工位在极大程度上制约了设备的生产能力。
实用新型内容
本实用新型要解决的问题是提供一种三工位多线切割工作台,尤其适合用于提高多线切割机的产量。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种三工位多线切割工作台,包括三个切割工位,所述三个切割工位上分别固定有料板,每个所述料板上分别可装有一个待切割工件,所述工作台配有四个喷嘴,所述四个喷嘴两两之间分别可具有一个待切割工件,所述待切割工件的直径与所述一个喷嘴的宽度之和小于所述相邻切割工位中心轴线之间的距离。
本实用新型还可以采用以下技术措施:
所述三个切割工位均为所述工作台下表面上的水平条形内凹槽,且均包括上部分和下部分,所述三个切割工位相互平行且高度相等,所述三个切割工位上部分的最小宽度均大于各自的下部分的最大宽度,所述料板的侧面为工形,所述三个切割工位的上部分均允许所述料板的上部分插入,所述料板通过料板紧固螺丝分别固定在所述三个切割工位上。
中间料板紧固螺丝孔位于中间切割工位左边,包括螺丝帽孔和螺丝杆孔,所述螺丝帽孔与左边切割工位的上部分相通,且其长度大于所述中间料板紧固螺丝的螺丝帽的长度,其高度大于或等于所述螺丝帽的直径。
中间料板紧固螺丝孔位于中间切割工位右边,包括螺丝帽孔和螺丝杆孔,所述螺丝帽孔与右边切割工位的上部分相通,且其长度大于所述中间料板紧固螺丝的螺丝帽的长度,其高度大于或等于所述螺丝帽的直径。
所述工作台通过工作台紧固螺丝固定于顶部连接板上,所述工作台紧固螺丝与所述工作台之间夹有高硬度绝缘套,用来保证所述工作台紧固螺丝与所述工作台绝缘,所述工作台紧固螺丝的螺丝杆上套有圆环钢垫,与所述工作台紧固螺丝的螺丝帽相贴,用于避免螺丝与高硬度绝缘套之间的磨损,所述圆环钢垫的厚度为大于或等于0.5毫米且小于或等于3毫米。
所述工作台紧固螺丝分布在所述三个切割工位顶端,每个所述切割工位上的所述工作台紧固螺丝的数量为大于或等于三个且小于或等于九个,且所述工作台紧固螺丝在每个所述切割工位上均匀分布。
所述四个喷嘴并排分布,所述每个喷嘴与位于其旁边的待切割工件之间距离为大于或等于1毫米且小于或等于10毫米。
分别位于所述工作台两端的两个所述喷嘴的下方均具有一个喷孔,位于所述工作台中间的两个所述喷嘴的下方均具有两个喷孔,所述每个喷孔喷出砂浆的方向分别朝向与其相邻的所述切割工位的竖直中心轴线,且与竖直方向所成角度为大于0度且小于90度。
本实用新型具有的优点和积极效果是:上述技术方案提高了多线切割机的生产能力,具有结构简单,维修方便,加工成本低,生产效率高等优点。
附图说明
图1是具有三个切割工位工作台的示意图
图2是工作台的仰视图
图3是工作台的紧固装置示意图
图4是砂浆喷出方向示意图
图中:
1、料板紧固螺丝 2、料板 3、螺丝帽孔
4、工作台 5、切割工位 6、喷嘴
7、单晶硅 8、工作台紧固螺丝 9、尼龙套
10、圆环钢垫 11、顶部连接板 12、砂浆
具体实施方式
如图1所示,本实用新型提供一种三工位多线切割工作台,包括三个切割工位5,三个切割工位5上分别固定有料板2,每个料板2上分别可装有一个直径为3英寸的单晶硅7,工作台4配有四个喷嘴6,四个喷嘴6两两之间分别可具有一个单晶硅7,单晶硅7的直径与一个喷嘴6的宽度之和小于相邻切割工位5中心轴线之间的距离,切割后的硅片厚度为300微米。
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