[实用新型]太阳能电池有效
| 申请号: | 201220625697.8 | 申请日: | 2012-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN203150563U | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
| 发明(设计)人: | 东方田悟司 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池。
背景技术
太阳能电池中,要求提高单位面积的发电量而提高效率。鉴于这样的状况,提出了降低遮光损失的太阳能电池的电极结构。例如,专利文献1中,公开了将宽度不同的指部进行组合的结构。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本实用新型登录第3154145号
发明内容
实用新型要解决的问题
但是,近年来,存在进一步提高太阳能电池的输出的要求。
用于解决问题的方法
本实用新型的太阳能电池包括光电转换部和在光电转换部上延伸的集电极,集电极包括第一集电极和具有比第一电极的电极长度长的电极长度的第二集电极,在第一集电极的与延伸方向正交的第一宽度和其与相邻的另一集电极之间的第一间距的比,小于第二集电极的第二宽度和其与相邻的另一集电极之间的第二间距的比。
实用新型效果
能够提高太阳能电池的输出。
附图说明
图1是表示本实用新型的实施方式的太阳能电池中,在指部的电极长度较短的区域,减小指部的电极的宽度的图。
图2是表示本实用新型的实施方式的太阳能电池中,在指部的电极长度较短的区域,扩大与相邻的另一指部之间的间距的图。
图3是表示本实用新型的实施方式的太阳能电池中,在指部的电极长度较短的区域,减小指部的电极的宽度时的效果的图。
图4是表示本实用新型的实施方式的太阳能电池中,在指部的电极长度较短的区域,扩大与相邻的另一指部之间的间距时的效果的图。
图5是表示本实用新型的实施方式的太阳能电池中,指部的电极长度与指部的(宽度/间距)的关系的图。
图6是本实用新型的实施方式的太阳能电池中,光电转换部的截面图。
图7是表示本实用新型的实施方式的太阳能电池中,另外的光电转换部的例子的图。
符号说明
10:太阳能电池,12、80:光电转换部,14、16、24、26:汇流条部,20、22、28:指部,40:n型单晶硅基板,50、54、60:i型非晶硅层,52、62:n型非晶硅层,56:p型非晶硅层,58、64:透明电极膜层,70:p型多晶硅基板,72:n型扩散层,74:铝金属膜
具体实施方式
以下利用附图对本实用新型的实施方式详细进行说明。以下叙述从受光面和背面双方接受光的双面型的太阳能电池,但也可以是仅从受光面接受光的单面型的。此外,叙述具有汇流条(busbar母线)部和指部的太阳能电池的电极,但也可以是仅有指部的电极。以下,叙述了作为太阳能电池的平面形状具有大致正方形且四角被切割的形状,但也可以是电极长度根据场所而不同的形状。例如,平面形状也可以是圆形形状、椭圆形状、矩形形状等。
以下叙述的形状、尺寸、电极的数量、材质等,是为了说明的举例,能够根据太阳能电池的设计规格进行适当变更。
以下,在所有附图中对同样的元件附加相同的符号,省略重复的说明。此外,本文中的说明中,根据需要使用之前叙述的符号。
图1是表示太阳能电池10的结构的俯视图和侧视图。太阳能电池10作为平面形状具有大致正方形且四角被切割的形状。太阳能电池10包括从主面即受光面和背面双方接受光而产生载流子的光电转换部12、和在光电转换部12的受光面和背面上分别独立地设置的集电极。集电极是用于从光电转换部12导出载流子的电极。
背面上设置的集电极的结构与受光面上设置的集电极的结构相同,所以主要说明图1中表示的受光面上设置的集电极。
受光面上设置的集电极,包括直线延伸的2根汇流条部14、16,和与汇流条部14、16连接、宽度比汇流条部14、16窄的多个指部20、22。如图1所示,指部包括电极长度不同的指部20、22。背面上设置的集电极也如侧视图所示那样包括汇流条部24、26,和与受光面的指部22对应的指部28。
指部20、22以与汇流条部14、16的延伸方向交叉的方式设置。通常,指部20、22与汇流条部14、16正交,并相互并列地配置。指部20、22为了从光电转换部12的受光面整体收集电流,其宽度比汇流条部14、16的宽度窄、且比汇流条部14、16根数更多地配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





