[实用新型]一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片有效
| 申请号： | 201220624916.0 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN202905717U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 冯亚宁;袁德成;张意远;俞栋梁;周宾 | 申请（专利权）人： | 上海美高森美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 | 代理人： | 周志宏 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 芯片 氧化 单晶硅 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括单晶硅片，其特征在于，单晶硅片两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层，掺杂层的外侧包裹有氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，其特征在于，所述单晶硅片为N型材料层。
3.根据权利要求1所述的用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，其特征在于，所述单晶硅片为P型材料层。
4.根据权利要求1或2所述的用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，其特征在于，所述氧化层的厚度为1500～4500埃。
5.根据权利要求3所述的用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，其特征在于，所述氧化层的厚度为1500～4500埃。
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