[实用新型]基于异型沟槽的晶体热缓释结构

权利要求书

1.一种基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述基于异型沟槽的晶体热缓释结构包括衍射晶体以及基座晶体；所述衍射晶体开设有异型热缓释沟槽，所述衍射晶体的背面为具有精密面形的衍射面；所述基座晶体上开设有卸荷槽、进水口、出水口以及集水箱；所述进水口通过集水箱、衍射晶体的异型热缓释沟槽与出水口相贯通；所述衍射晶体与基座晶体通过高温扩散焊接成组合晶体。

2.根据权利要求1所述的基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述基于异型沟槽的晶体热缓释结构还包括连接杆以及不锈钢晶体夹持座；所述不锈钢晶体夹持座通过连接杆夹持组合晶体；所述连接杆是使用热膨胀系数与晶体热膨胀系数相似的材料。

3.根据权利要求2所述的基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述基于异型沟槽的晶体热缓释结构还包括压制在衍射晶体上的压板。

4.根据权利要求3所述的基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述基于异型沟槽的晶体热缓释结构还包括设置在不锈钢晶体夹持座与基座晶体之间的密封圈。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述衍射晶体以及基座晶体均是Si（111）晶体或其它材料的同步辐射分光用单晶体。

6.根据权利要求5所述的基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述异型沟槽是平行于入射光的半月形冷却水槽；槽深10mm，水槽宽3.5mm，肋宽1.5mm；所述半月形沟槽的顶部设置有28mm长的平坦区；所述半月形沟槽的顶部的衍射面厚度为0.8mm。

7.根据权利要求6所述的基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述基座晶体的四周刻有卸荷槽，所述卸荷槽是宽2mm和深2mm的切槽。

8.根据权利要求7所述的基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述基于异型沟槽的晶体热缓释结构还包括冷却水管。