[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201220613616.2 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN202996818U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 沼崎雅人 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/495 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
芯片焊盘;
多条悬垂引线,其用于支承所述芯片焊盘;
多条引线,其配置在所述多条悬垂引线之间;
半导体芯片,其搭载在所述芯片焊盘的上表面,具有:主面、形成于所述主面的多个电极焊盘、以及与所述主面为相反侧的背面;
多条导线,其分别电连接所述半导体芯片的所述多个电极焊盘和所述多条引线;
封装体,其以使得所述多条引线的各自的下表面露出的方式封固所述半导体芯片和所述多条导线,
所述多条引线分别具有:从所述封装体露出的所述下表面;与所述下表面为相反侧的上表面;位于所述上表面与所述下表面之间且与所述芯片焊盘相对的内侧端面;位于所述内侧端面的相反侧且从所述封装体露出的外侧端面;位于所述上表面与所述下表面之间且位于所述内侧端面与所述外侧端面之间的第1侧面;与所述第1侧面为相反侧的第2侧面,
而且,所述多条引线在所述多条引线的各自的延伸方向上还分别具有:位于所述内侧端面侧的第1部分;和与所述第1部分相比位于所述外侧端面侧的第2部分,
在所述第1侧面的所述第1部分、且在与所述下表面相比靠所述上表面侧形成有第1层差部,
在所述第2侧面的所述第2部分、且在与所述下表面相比靠所述上表面侧形成有第2层差部,
在所述第1侧面的所述第2部分没有形成所述第1层差部和第2层差部,
在所述第2侧面的所述第1部分没有形成所述第1层差部和第2层差部。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
在所述多条引线的各自的所述第1部分的所述下表面,形成有与所述内侧端面相连的第3层差部。
3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
所述第3层差部向所述芯片焊盘的方向的伸出量分别大于所述第1层差部向相邻的所述引线的方向的伸出量和所述第2层差部向相邻的所述引线的方向的伸出量。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
所述封装体的平面形状为四边形,所述多条引线在俯视观察时沿所述封装体的各边各配置有奇数条,
在所述各边上,以相对于所述奇数条的所述引线中的中央引线为线对称的方式形成有所述多条引线的各自的所述第1层差部及所述第2层差部。
5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,
在所述中央引线的内侧端部形成有俯视观察时幅宽的幅宽部。
6.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,
形成有所述第1层差部的所述第1侧面位于所述导线的延伸方向侧。
7.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,
关于所述各边的所述奇数条的所述引线中的、除配置在所述中央的所述引线以外的引线,各所述引线的内侧端部俯视观察时的形状以沿着所述导线的延伸方向的方式弯曲。
8.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
所述封装体的平面形状为四边形,所述多条引线在俯视观察时沿所述封装体的各边各配置有偶数条,
在所述各边上,关于所述偶数条的所述引线,各引线的所述第1层差部及所述第2层差部相对于所述偶数条的所述引线的排列方向分别以同一朝向形成。
9.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
所述多条引线分别通过蚀刻加工而形成。
10.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
形成于所述多条引线的各自的所述第2侧面的所述第2部分的所述第2层差部在所述封装体的内部终结。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220613616.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于多义性路径收费系统的读卡装置和系统
- 下一篇:混合块件和CVD系统