[实用新型]一种超级结MOSFET

权利要求书

1.一种超级结MOSFET结构，其特征在于，包括元胞区和终端区，所述终端区包围所述元胞区，所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽，所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层，所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层，所述终端区各边的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致，所述第一导电类型为n型掺杂，所述第二导电类型为p型掺杂。

2.如权利要求1所述的超级结MOSFET结构，其特征在于，所述终端区各边的沟槽沿从外向里的方向排布，且所述排布方向与从外向里的方向垂直。

3.如权利要求1所述的超级结MOSFET结构，其特征在于，所述终端区各边的沟槽沿从外向里的方向排布，且所述排布方向与从外向里的方向平行。

4.如权利要求1、2、3之一所述的超级结MOSFET结构，其特征在于，在所述横向沟槽与纵向沟槽交汇处，横向沟槽与纵向沟槽的间距是两个同方向沟槽间距的一半。

5.如权利要求1、2、3之一所述的超级结MOSFET结构，其特征在于，在所述元胞区和终端区的单位面积内，所述沟槽占据的面积比例相同。

6.如权利要求5所述的超级结MOSFET结构，其特征在于，在所述元胞区和终端区的单位面积内，所述沟槽占据的面积比例相同为1:4-1:2。

7.一种超级结MOSFET，其特征在于，包括：

衬底、第一外延层和根据如权利要求1-6任意一项所述的超级结MOSFET结构得到的第二外延层，所述第一外延层将所述第二外延层分隔为两部分，第一外延层和第二外延层形成在所述衬底上，所述衬底为第一导电类型，所述第一外延层为第一导电类型，所述第二外延层为第二导电类型；

第一扩散区，所述第一扩散区形成在所述第一外延层内及与所述第一外延层相邻的一部分第二外延层内，所述第一扩散区为第一导电类型；

第二扩散区，所述第二扩散区形成在所述第一扩散区内，所述第二扩散区为第二导电类型，所述第二扩散区与第二外延层之间的第一扩散区为导电沟道；

栅介质层，所述栅介质层形成在所述第二外延层、导电沟道及一部分第二扩散区之上；

栅极，所述栅极形成在所述栅介质层之上；

介质层，所述介质层形成在所述栅极之上，所述介质层上具有贯通至所述第一扩散区的接触孔；

源极金属层，所述源极金属层形成在所述介质层及第一扩散区之上，所述源极金属层通过接触孔与第一扩散区相连；

漏极金属层，所述漏极金属层形成在衬底之下。