[实用新型]一种阵列基板、掩膜板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、掩膜板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，AMOLED（Active Matrix/Organic Light EmittingDiode，是有源矩阵有机发光二极体面板）以其良好的显示性能，具体有良好的发展前景。

实现透明AMOLED显示的方法包括：使用透明阴极（cathode）的方法和形成未沉积阴极材料的特定区域（透过窗）的方法。

使用透明阴极的方法可以提高面板（panel）的透过率，实现透明显示。

如图1a和图1b所示，在图1a所示的图案的基板上形成透明阴极，形成图1b所示的图案，即在基板的全部区域上沉积透明阴极。

虽然在基板的全部区域沉积透明阴极具有工艺便利性，但是透明阴极相比现有的满足EL（Electroluminescence，场致发光）特性的传统阴极材料（conventional cathode material），会导致EL特性及寿命降低的问题，且具有透明特性的阴极材料种类较少，也具有局限性。

所以，使用透明cathode的方法需要开发具有良好的透过率和良好的电极特性的材料和工艺，并且相比使用现有的不透明阴极电极材料具有EL特性差的缺点。

为解决上述问题，产生了一种形成未沉积阴极的特定区域的方法实现透明AMOLED。

在面板上的部分区域不沉积阴极材料，也可以实现透明显示，即在各像素区域上形成透明的区域，整体上可以确保透过率。若透过窗的尺寸设计较佳，还可以改善透过率且提高可见性（visibility）。通常，不沉积不透明阴极材料的区域记载为TW（Transparent Window，透过窗或透明窗），如图2a所示，在进行阴极沉积时，通过调节PDL（Pixel Desgin Layer，像素界定层）的大小，形成透过窗，沉积阴极材料后的基板如图2b所示。

为了在使用现有的阴极材料铝（Al）或镁：银（Mg:Ag）的同时实现透明AMOLED，需要在像素的某一区域内形成透过窗。但是，使用FMM(Fine MetalMask，高精度金属掩膜板)形式进行透过窗形成时，需要经过多次掩膜的对齐，沉积较困难，使得透过窗的制造工艺比较复杂。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种阵列基板、掩膜板和显示装置，以简化透过窗的制造工艺。

一种掩膜板，包括：

网格图案掩膜板以及固定在所述网格图案掩膜板上的透过窗图案掩膜板，所述网格图案掩膜板的网格间掩膜框架的宽度与所述透过窗图案掩膜板的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案掩膜板以外的区域实现沉积。

一种阵列基板，使用本实用新型实施例提供的掩膜板制造。

一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的阵列基板。

本实用新型实施例提供一种阵列基板、掩膜板和显示装置，该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案，网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，这样，在进行阴极沉积时，阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，即可实现阴极图案的制造，简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺，同时，可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。

附图说明

图1a为现有技术中像素区结构示意图；

图1b为现有技术中透明阴极结构示意图；

图2a为现有技术中透过窗结构示意图；

图2b为现有技术中具有透过窗的传统阴极结构示意图；

图3a为本实用新型实施例提供的掩膜板结构示意图；

图3b为图3a的B-B’面截面图；

图3c为本实用新型实施例提供的掩膜板中网格图案掩膜板结构示意图；

图4a为本实用新型实施例提供的具有基础透过窗图案的网格图案掩膜板结构示意图；

图4b为图4a的A-A’面截面图；

图5为本实用新型实施例提供的具有掩膜框架的掩膜板结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的掩膜板制造方法流程图；

图7为本实用新型实施例提供的透过窗制造方法流程图；

图8为本实用新型实施例提供的透过窗制造过程状态示意图。

具体实施方式