[实用新型]便于调节间距的半导体沉积结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，涉及一种薄膜沉积设备，特别是涉及一种便于调节间距的半导体沉积结构。

背景技术

半导体技术是指半导体加工的各种技术，包括晶圆的生长技术、薄膜沉积、光刻、刻蚀、掺杂和工艺整合等技术。沉积技术是半导体制程工艺中的一个非常重要的技术。其中，化学气相沉积（CVD）是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，其可用于沉积大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，化学气相沉积法时将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。

衡量沉积薄膜的质量的一个重要参数是平整度（U%）。通常在一个反应腔内可同时放置若干个晶片，反应时，为了得到均匀的薄膜，通常在每个晶片正上方都有一个喷气头，喷气头下表面设置有若干个小孔，能够对着晶片均匀喷洒反应气体。然而喷气头与晶片之间的间距对薄膜的质量也有很大影响，若各个晶片与其上方的喷气头之间的间距不一，各个晶片上得到的薄膜就会质量不一。另外，由于晶圆面积和喷气头的面积较大，对于同一个晶片，若喷气头与晶片之间不平行，晶片的不同部位与喷气头之间的间距也不一样，导致同一个晶片上的薄膜质量也不相同。因此保证各个喷气头与晶片之间的间距一致非常重要。

现有技术中，通常在反应前，在加热底盘上放置各个晶片的相应位置放置若干个锡纸揉成的小球，然后降下容器盖，使喷气头紧压在锡纸球上，再升起容器盖，测量各个被压成饼状的锡纸球的厚度，并根据此厚度来调节喷气头的位置。这种方法通常需要重复多次才能调整好间距，不仅繁琐，精确度也不高，经常会导致严重的人为错误。

因此，提供一种便于调节间距的半导体沉积结构实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种便于调节间距的半导体沉积结构，用于解决现有技术中喷气头与晶片之间的间距难以调节、精确度低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种便于调节间距的半导体沉积结构，所述半导体沉积结构至少包括加热底盘、位于所述加热底盘上方的容器盖、以及连接于所述容器盖底部的若干喷气组件；所述喷气组件包括设有空腔的喷气头、连通所述空腔并设置在所述喷气头下表面的若干喷气孔、连通所述空腔并设置在所述喷气头上表面的供气管以及均匀设置在该喷气头上表面用于固定且高度可调的三根连接件；所述连接件顶部固定于所述容器盖底部；所述加热底盘和所述喷气头之间还包括具有标准厚度的间距校准平板。

作为本实用新型的便于调节间距的半导体沉积结构的一个优选方案，所述间距校准平板的横截面为圆环状。

进一步地，所述间距校准平板上方还设有与其接触的隔离件，所述隔离件的横截面积为圆环状。

进一步地，所述加热底盘的横截面为圆环状，所述隔离件边缘弯折延伸卡住所述加热底盘的侧翼。

进一步地，所述隔离件中部设有收容所述喷气头的第一凹槽，所述第一凹槽侧壁垂直或倾斜。

作为本实用新型的便于调节间距的半导体沉积结构的一个优选方案，所述加热底盘上方均匀设有六个喷气组件，所述六个喷气组件正下方均设有间距校准平板。

进一步地，所述间距校准平板的横截面为圆形。

进一步地，所述间距校准平板的中部设有收容所述喷气头的第二凹槽，所述第二凹槽侧壁垂直或倾斜。

进一步地，所述喷气头与所述间距校准平板之间还设有横截面积为圆形的隔离件。

进一步地，所述隔离件中部设有收容所述喷气头的第三凹槽，所述第三凹槽侧壁垂直或倾斜。

如上所述，本实用新型的便于调节间距的半导体沉积结构，具有以下有益效果：首先，有利于一次性调整好喷气头与晶片之间的间距，使反应时各个喷气头与晶片之间相互平行，且间距一致，保证反应后得到的薄膜具有高的平整度，质量一致；第二，可针对不同的薄膜沉积工艺事先制作多个不同厚度的间距校准平板，生产时根据需求选择相应厚度的间距校准平板即可；第三，使得调整间距时操作简单易行，不仅节约时间，还具有高精确度。

附图说明

图1显示为本实用新型的半导体沉积结构在实施例一中的结构示意图。

图2显示为本实用新型的半导体沉积结构在实施例一中的俯视图（不包括容器盖）。

图3显示为图2中虚线框所示局部区域沿箭头所指方向的透视图。