[实用新型]一种电磁场发生器电路结构有效

专利信息
申请号: 201220599120.4 申请日: 2012-11-14
公开(公告)号: CN202998534U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 林华乡;许耀元;张英彪 申请(专利权)人: 明达实业(厦门)有限公司
主分类号: H05B6/06 分类号: H05B6/06
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 朱凌
地址: 361022 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁场 发生器 电路 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及加热装置领域,更具体的说涉及一种电磁场发生器电路结构,其用于产生高频磁场,以供加热管能基于所产生的涡流而发热。

背景技术

目前在加热领域,人们研究开发出了一种可以实现水电分离的电磁热水管,诸如中国实用新型专利CN2713367Y,其将线圈紧绕在一段绝缘不导磁的水管外圈而组成一个螺旋管,并在该螺旋管内设置加热组件。如此,当往该线圈中通以高频电流时,该螺旋管内即产生高频交变磁场,该加热组件在高频交变磁场的作用下产生涡流发热,从而实现加热的功效。

但是,对于该高频磁场如何产生和设置,则未给予具体公开,目前通常是采用线圈与现有技术中的高频发生器直接相连的方式,如此具有成本高、容易损坏以及实际应用效率低等缺陷。

有鉴于此,本发明人针对现有技术中的上述缺陷深入研究,遂有本案产生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电磁场发生器电路结构,其可以用于产生高频交变磁场,并且还具有结构简单和成本低的特点。

为了达成上述目的,本实用新型的解决方案是:

一种电磁场发生器电路结构,其中,包括滤波保护电路、电压检测电路、整流滤波模块、CPU控制模块以及用于产生电磁场的电磁场产生模块,该滤波保护电路设置在整流滤波模块与市电输入之间,该电压检测电路与滤波保护电路相连而检测市电的输入电压,并将检测获得的电压信号输送至CPU控制模块,该电磁场产生模块与整流滤波模块和CPU控制模块均相连。

进一步,该电磁场产生模块为单管电磁场发生器,其具有第一电容、自激振荡电路、第一IGBT管以及反馈检测电路,该第一电容并联设置在加热模块两端,该第一电容通过整流滤波模块与市电输入相连,该CPU控制模块与自激振荡电路相连并将其产生PWM控制信号发送至自激振荡电路,该第一IGBT管和反馈检测电路分别设置在自激振荡电路与第一电容之间,该反馈检测电路检测加热模块是否与第一电容相连并将反馈信号发送至自激振荡电路,该自激振荡电路在加热模块已加载时产生自激并通过第一IGBT管向并联的第一电容和负载电感提供高频信号。

进一步,该单管电磁场发生器还包括第二IGBT管和推挽电路,该第二IGBT管亦与第一电容相连,该推挽电路设置在第一IGBT管、第二IGBT管与自激振荡电路之间而使得第一IGBT管和第二IGBT管同时向并联的第一电容和负载电感提供高频信号。

进一步,该反馈检测电路为设置在第一IGBT管和第二IGBT管与自激振荡电路之间的第一反馈电阻R4和第二反馈电阻R5,该第一反馈电阻R4用于反馈整流后的电源电压,该第二反馈电阻R5用于反馈第一IGBT管和第二IGBT管的C极电压,并在C极电压过高时关闭第一IGBT管和第二IGBT管的驱动信号,该第一反馈电阻R4和第二反馈电阻R5还组成同步谐振频率跟踪信号反馈电路。

进一步,该电磁场产生模块为半波电磁场发生器,其具有第三IGBT管、第二电容、第四IGBT管、第三电容、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片,该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入,该第三IGBT管、第二电容、第四IGBT管、第三电容以及加热模块一起组成H桥,该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率,该第三IGBT管的门极和第四IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。

进一步,该半波电磁场发生器还包括负载频率检测电路以及IGBT驱动芯片,该IGBT驱动芯片设置在CPU控制模块与功能芯片之间,该负载频率检测电路检测谐振回路的频率并将振荡频率反馈至CPU控制模块,该CPU控制模块则将通过IGBT驱动芯片产生驱动信号以使系统维持在谐振点上。

进一步,该电磁场产生模块为全桥电磁场发生器,其具有第四电容、第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管、他激转自激电路、第一锁相环、相差控制比较器以及第二锁相环,该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入,该第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管与第四电容和加热模块一起组成H桥,该CPU控制模块通过他激转自激电路而与第一锁相环相连,该第一锁相环的输出与第五IGBT管的门极相连,该第一锁相环的输出还通过第一反相器而与第七IGBT管的门极相连;该第一锁相环通过相差控制比较器而与第二锁相环相连,该第二锁相环的输出与第六IGBT管的门极相连,该第二锁相环的输出还通过第二反相器而与第八IGBT管的门极相连。

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