[实用新型]一种用于检测雪崩光电二极管最佳倍增因子的光纤模拟器有效

专利信息
申请号: 201220597984.2 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN202998102U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 李楚元 申请(专利权)人: 一诺仪器(威海)有限公司
主分类号: H04B10/071 分类号: H04B10/071
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 段迎春
地址: 201103 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 检测 雪崩 光电二极管 最佳 倍增 因子 光纤 模拟器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及光纤光缆检测领域,特别涉及用于光时域反射仪的雪崩光电二极管最佳偏置电压的检测领域。

背景技术

在光纤光缆测试领域,利用光线在光纤中传输时产生的瑞利背向散射和菲涅尔反射而采用光时域反射仪(OTDR)进行光纤连接的现场监视和连接损耗测量评价是目前最有效的方法,可进行光纤长度、光纤的传输衰减、接头衰减和故障定位等的测量。由于OTDR接收的来自光路的背向散射信号功率较小,因此要求作为光电转换的光检测器有较高的灵敏度,而雪崩光电二极管(以下称APD)在适当的偏置电压下其内部电流有倍增效应,如图1,图中虚线为信噪比SNR曲线,实线为倍增因子曲线,V0仍为最佳偏执电压点。APD能有效放大来自光路的待检测信号,故雪崩光电二极管常用作OTDR的光检测器。在忽略温度影响条件下,APD倍增因子通常由偏置电压决定,如果APD两端偏置电压过高,引入了更多噪声,致信噪比不好,同时电压一旦超过了阈值,会引起APD管被击穿。如果APD两端偏置电压过低,则无法起到较佳地放大作用。为使APD工作在最佳信噪比条件下,需找到能使APD倍增因子最佳的相应偏置电压,但现有技术中没有针对如何使OTDR中APD检测背向瑞利散射信号时达到最佳放大倍数进行精确测量的技术。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供能找到APD最佳倍增因子的光纤模拟器。

实现本实用新型目的的方法是:一种用于检测雪崩光电二极管最佳倍增因子的光纤模拟器,由光环形器和衰减器组成,所述光环形器和衰减器连接成光路。

本方案可通过调节衰减器数值来模拟光纤近端背向瑞利散射功率衰减,进而找到APD最佳倍增因子及相对应的偏置电压,即找到APD最佳信噪比。本实用新型结构简单,操作方便。

实现本实用新型的目的的优选方法是,在所述光路中还包含光纤。其在模拟器中起到延迟光传输时间作用。

实现本实用新型的目的的另一优选方法是,所述光路中还包含光耦合器,所述耦合器设在雪崩光电二极管和光环形器之间。所述光耦合器模拟OTDR中耦合器作用。

光耦合器的使用,使本实用新型更符合实际需要。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍。显而易见针,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为APD倍增因子与偏置电压关系曲线;

图2为本实用新型提供的一个实施例示意图。

具体实施方式

下面将结合附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图2所示,LD激光器3发射激光进入耦合器2,经耦合器2进入到光环形器12,并经环形器122口进入,经长光纤11进入衰减器13,由衰减器13出射入环形器121口,并经环形器122口进入耦合器,经耦合器出进入APD4。

LD激光器3发射最大光功率激光,经上述过程进入APD检波器4。图2中衰减器(13)模拟光纤近端背向瑞利散射功率衰减,其值由光纤近端背向瑞利散射因子决定,通过改变衰减器13的值并调节APD两端偏置电压,可以测量相应的倍增因子,其关系如图1所示。图中V0点即为最佳偏置电压点。光纤11在模拟器中起到延迟光传输时间作用。

当然,本实施例是最优选的实施例。也可将本实施例中的耦合器2省掉,一样可达到模拟光路功率衰减的目的。

也可将衰减器13和环形器12置入一外壳内,外壳上再置一操作窗口。

本实用新型也可用在光路系统设计中,此时将图2中的APD改作其它的光路元件,通过调节衰减器13的值来检测光路元件和光路的适应性。

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