[实用新型]一种防静电囊体材料复合结构有效
| 申请号： | 201220596294.5 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN202862742U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郭颀;李斌华;高晓枫 | 申请（专利权）人： | 湖南航天机电设备与特种材料研究所 |
| 主分类号： | B32B33/00 | 分类号： | B32B33/00;B32B1/02;B32B27/02;B32B27/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 郭立中 |
| 地址： | 410205 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 材料 复合 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种防静电囊体材料复合结构，其特征在于，所述复合结构具有防静电的上表面和/或下表面。
2.如权利要求1所述的复合结构，其特征在于，所述结构包括承力层（1）、阻气层（2）和抗老化层（3），所述承力层（1）和抗老化层（3）中至少有一层为防静电层。
3.如权利要求2所述的复合结构，其特征在于，所述防静电层表面附有外用抗静电剂。
4.如权利要求3所述的复合结构，其特征在于，所述外用抗静电剂为表面活性剂类抗静电剂或电解质高分子成膜物类抗静电剂。
5.如权利要求3所述的复合结构，其特征在于，所述外用抗静电剂为表面活性剂类抗静电剂。
6.如权利要求2所述的复合结构，其特征在于，所述防静电层中含有内用抗静电剂或导电填充料。
7.如权利要求6所述的复合结构，其特征在于，所述内用抗静电剂为无机半导体盐类抗静电剂、无机盐类抗静电剂、电解质高分子成膜物类抗静电剂、表面活性剂类抗静电剂或有机半导体高聚物类抗静电剂。
8.如权利要求6所述的复合结构，其特征在于，所述内用抗静电剂为表面活性剂类抗静电剂。
9.如权利要求6所述的复合结构，其特征在于，所述导电填充料为金属粉末、石墨、碳纤维或导电炭黑。
10.如权利要求2至7任一项所述的复合结构，其特征在于，所述防静电层电阻为105～
1011Ω。
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