[实用新型]一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于清洗干法刻蚀工艺中刻蚀盘的清洗装置。

背景技术

发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的LED，关键要提高器件的内量子效率和外量子效率。目前，芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，其主要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大，导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。

目前主流的技术路线是用图形化衬底来生长外延，此种技术可以缓解衬底和氮化物外延层异质外延生长中由于晶格失配引起的应力，减小GaN基外延层穿透位错的密度，提高外延晶体质量，降低半导体发光材料的非辐射复合中心，增强辐射复合，以提高芯片亮度。目前这种图形衬底的制作方法是先用光刻胶在蓝宝石衬底上做周期性排列的小图形，再利用ICP（增强耦合等离子体）干法刻蚀技术将此光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上，而这种干法刻蚀技术在刻蚀的过程中对衬底的冷却至关重要，否则光刻胶图形会因刻蚀的过程中产生的高温而变形，进而无法保证图形的有效转移。如图1，目前ICP刻蚀对衬底的冷却方法是采用铝盘5加石英盘4，通过He冷通道6直接将He冷通入到蓝宝石衬底底部对蓝宝石进行冷却，这种方法能有效地冷却衬底，能保证图形的有效转移，但是利用这种方法在刻蚀工艺完成后，石英盘4会有很多残留物，为了保证工艺的稳定性，需要将石英盘4清洗干净，而石英盘4很脆，价格又高，在用刷子刷洗的时候很容易将其碰碎、压碎，所以清洗时需要格外小心。

因此，制作一种用于清洗干法刻蚀工艺中刻蚀盘的清洗装置实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置，用于解决现有技术中清洗刻蚀盘时容易把刻蚀盘碰碎、压碎的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置，所述用于清洗刻蚀盘的清洗装置至少包括：用于放置刻蚀盘的盘体，其具有光滑盘面且边缘具有第一缺口；设置在所述光滑盘体边缘的阻挡件；以及支撑所述盘体的支撑件。

优选地， 所述第一缺口包括处在所述光滑盘面同一直径上的两个方形缺口。

优选地，所述阻挡件包括凸起环，该凸起环具有排水口和与所述缺口贯通的第二缺口。

进一步地，所述阻挡件的高度比所述刻蚀盘的高度低0.3mm。

优选地，所述盘体的内径比所述刻蚀盘的直径大5mm。

优选地，所述盘体的材料为PVC。

优选地，所述支撑件包括底座及连接底座及盘体的支撑梁。

较佳的，所述底座呈方形。

进一步地，所述支撑梁的形状为圆柱形。

如上所述，本实用新型的用于清洗刻蚀盘的清洗装置，具有以下有益效果：可以保证刻蚀盘在清洗的过程中不被碰碎、压碎，从而大大提高作业效率，有效降低制造成本。且本实用新型的清洗装置结构简单，使用方便，适用于工业生产过程。

附图说明

图1显示为现有干法刻蚀工艺中的冷却装置示意图。

图2显示为本实用新型的用于清洗刻蚀盘的清洗装置的侧视图。

图3显示为本实用新型的用于清洗刻蚀盘的清洗装置的俯视图。

图4显示为本实用新型的用于清洗刻蚀盘的清洗装置的整体外观图。

元件标号说明

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图2至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图所示，本实用新型提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置。所述用于清洗刻蚀盘的清洗装置至少包括：盘体1、阻挡件2、及支撑件3。

所述盘体1用于放置需要清洗的刻蚀盘，该盘体1具有光滑盘面11并且边缘具有第一缺口12。