[实用新型]一种太阳能电池石墨框镀膜用挂钩组件有效
| 申请号: | 201220587823.5 | 申请日: | 2012-11-08 |
| 公开(公告)号: | CN202905768U | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | 张晓丹;姚蝶;胡翔;黄良吉 | 申请(专利权)人: | 上海神舟新能源发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/50;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
| 地址: | 201112 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 石墨 镀膜 挂钩 组件 | ||
技术领域
本实用新型及一种太阳能光伏产业镀膜,尤其是涉及一种太阳能电池石墨框镀膜用挂钩组件。
背景技术
晶体硅太阳能电池工艺中都需要在电池表面镀一层起减反射和钝化双重作用的膜,由于背面镀膜的众多优越性,现行电池工艺都具有背面镀膜步骤。镀膜过程中需要采用挂钩支撑硅片,使用之前尺寸石墨框挂钩镀膜后,丝网印刷钩点都在栅线以内,石墨框挡片突起部分在使用一段时间后沉积氮化硅造成硅片边缘色差,影响外观,目前市场对电池片外观要求越来越严格,钩点靠栅线内和边缘色差的产品已不附市场要求。
板式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)设备载具---石墨框在使用目前尺寸钩镀膜后,存在以下几点缺陷:
a.石墨框框钩点距离硅片边缘>3mm,钩点在丝网印刷会在栅线以内,由于钩点处无镀膜,存在直接影响产品外观,间接影响栅线烧结的缺陷;
b.石墨框挡片突起部分在使用一段时间后沉积氮化硅造成硅片边缘色差,存在直接影响产品外观,间接影响栅线烧结的缺陷。
发明内容
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种改善石墨框边条受力损坏的太阳能电池石墨框镀膜用挂钩组件。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:一种太阳能电池石墨框镀膜用挂钩组件,包括挂钩和挡片,石墨框上设有多个用于放置硅片的框格,所述的挂钩设置在石墨框的框格四周,所述的挡片设置在硅片四周,所述的挂钩包括本体和本体两侧的钩体,其特征在于,所述的钩体的钩间距≤2.5mm,钩体内侧呈圆弧导角状,使硅片镀膜后丝网印刷钩点都在栅线以外。
所述的钩体的钩间距为2mm。
所述的挡片呈U型状,其一边底部设有凸起,该凸起的高度大于硅片水平放置位置2mm,防止硅片滑出。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
1.改变原挂钩固定方式,改善石墨框边条受力损坏现象.。
2.挂钩内侧做圆弧导角设计,使硅片自然入位,减少硅片碰撞碎片风险
3.新式挂钩使用后丝网印刷钩点明显靠边缘在栅线以外,平均间距2.0mm(如下图),直接改善栅线烧结后产品外观
4.新的挡片下端凸起高度比现有挡片凸起高度减少1mm,使用新式挡片后,挡片周边膜厚提高0.3~0.6nm,使挡片位置周围膜厚提高而整体膜厚不受影响,直接改善外观。
5.新式挂钩挡片改善成本低,效果好。
附图说明
图1为本实用新型挂钩的结构示意图;
图2为本实用新型挡片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
实施例1
如图1所示,一种太阳能电池石墨框镀膜用挂钩组件,包括挂钩1和挡片2,石墨框上设有多个用于放置硅片的框格,所述的挂钩设置在石墨框的框格四周,所述的挡片设置在硅片四周,所述的挂钩包括本体11和本体两侧的钩体12,所述的钩体的钩间距a=2.5mm,钩体内侧呈圆弧导角状,使硅片镀膜后丝网印刷钩点都在栅线以外。
如图2所示,所述的挡片2呈U型状,其一边底部设有凸起21,挡片2下端凸起高度比现有挡片凸起高度减少1mm,该凸起21的高度大于硅片水平放置位置2mm,防止硅片滑出,使用新式挡片后,挡片周边膜厚提高0.3~0.6nm,使挡片位置周围膜厚提高而整体膜厚不受影响,直接改善外观。
实施例2
一种太阳能电池石墨框镀膜用挂钩组件,包括挂钩和挡片,石墨框上设有多个用于放置硅片的框格,所述的挂钩设置在石墨框的框格四周,所述的挡片设置在硅片四周,所述的挂钩包括本体和本体两侧的钩体,所述的钩体的钩间距a=2mm,钩体内侧呈圆弧导角状,使硅片镀膜后丝网印刷钩点都在栅线以外。
挂钩和挡片成弯折固定,改变原挂钩固定方式,减少石墨框边条受力损坏,底部挂钩内侧做圆弧导角设计,使硅片自然入位,减少碰撞碎片风险,挡片尺寸凸起减少1mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





