[实用新型]一种硅基薄膜太阳能电池组件有效

专利信息
申请号: 201220586747.6 申请日: 2012-11-08
公开(公告)号: CN202905758U 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 卫成刚;王明华;顾中强;吴泓;尤长林;刘聪;宗华;陈锐 申请(专利权)人: 国电光伏(江苏)有限公司
主分类号: H01L31/05 分类号: H01L31/05
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214213 江苏省无锡市宜兴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 组件
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种太阳能电池组件,特别是涉及一种有效减少内部短路漏电的硅基薄膜太阳能电池组件。

背景技术

硅基薄膜太阳电池行业主流工艺中,镭射激光刻划是一个很重要的部分,它是将薄膜太阳电池不同膜层去除,达到太阳电池内部串联的一种有效方式,使太阳电池可以有效集成,达到完全自动化目的。薄膜太阳能组件片内集成的方式通常是通过激光的P1,P2和P3划线实现的。激光划线P1用于将前电极导电层分割成若干相互绝缘的子电池;激光划线P2用于在吸收层(第3层)上开辟出导电的通路,由于在薄膜电池中第2层和第4层均为高电导率材料,第4层材料在沉积过程中,填入P2形成的沟道,与第2层材料接触,形成导电通路,因此所有子电池通过P2串联连接起来;激光划线P3用于电学绝缘各个子电池。薄膜太阳能组件为了优化功率输出,通常都将组件划分成几十甚至上百个子电池,并通过上述激光划线方式进行片内串联。最后电池片边缘用激光划线做绝缘处理。现有技术中,吸收层上P2划线形成的导电通道通常是从头至尾的贯穿沟槽,这样经过导率材料沉积,导电通道内填满高电导率材料,在电池片边缘做绝缘时,激光划线处理不当容易在电池片玻璃基底上留下导电材料,残留的导电材料与导电通道接触联通时即会造成漏电,降低电池发电效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种硅基薄膜太阳能电池组件,解决现有技术中吸收层P2划线处容易形成漏电的问题。

本实用新型的技术方案是这样的:一种硅基薄膜太阳能电池组件,包括玻璃基底、前电极层、吸收层和背电极层,其特征在于:所述吸收层上的导电通道为长条形通孔。

优选的,所述导电通道与电池组件绝缘槽距离为1~5mm。

为了减小电池片工作时电池某处的发电不良对整个电池发电效率的影响,所述前电极层、吸收层和背电极层设有互相重叠的热斑槽,所述热斑槽与导电通道垂直,所述吸收层上热斑槽与电池片绝缘槽之间以及热斑槽与热斑槽之间的导电通道均为长条形通孔。

本实用新型所提供的技术方案的优点在于,利用吸收层导电通道与电池片边缘或者与热斑槽边缘保留的吸收层材料的高阻特性,阻隔了导电通道内高导电率材料与激光划线后热斑槽或者绝缘槽内残留高导电率材料接触,防止了导电通道处产生漏电,提高了电池片发电效率。

附图说明

图1为现有技术中片内串联硅基薄膜太阳能电池组件结构示意图;

图2为现有技术中吸收层平面示意图;

图3为本实用新型吸收层平面示意图;

图4为图3的A-A向剖视图;

图5为带有热斑槽的电池组件结构示意图;

图6为图5所示电池组件等效电路图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,但不作为对本实用新型的限定。

请参见图1、图2、图3及图4,硅基薄膜太阳能电池组件包括玻璃基底1、前电极层2、吸收层3和背电极层4,激光划线P1用于将前电极层2分割成若干相互绝缘的子电池;激光划线P2用于在吸收层3上开辟出导电通道5,导电通道5为长条形通孔,由于在薄膜电池中第二层前电极层2和第四层背电极层4均为高电导率材料,背电极层4材料在沉积过程中,填入P2形成的导电通道5中与前电极层2材料接触,因此所有子电池通过P2串联连接起来;激光划线P3用于电学绝缘各个子电池。

又请参见图5,为了减小电池片工作时电池某处的发电不良对整个电池发电效率的影响,所述前电极层2、吸收层3和背电极层4设有互相重叠的热斑槽6,热斑槽6与导电通5道垂直,吸收层3上热斑槽6与电池片绝缘槽之间以及热斑槽6与热斑槽6之间的导电通道5均为长条形通孔。长条形通孔导电通道5与电池片绝缘槽或者与热斑槽6边缘保留的吸收层材料具有高阻特性,保留的吸收层材料长度通常为1~5mm,其阻隔了导电通道5内高导电率材料与激光划线后热斑槽6或者绝缘槽内残留高导电率材料接触,防止了导电通道处产生漏电。请参见图6,当太阳能电池组件的某块区域被阴影或物体遮蔽,遮蔽区域无光照,将被当作负载消耗其他有光照区域的太阳电池组件所产生的能量,在图6上即表示为某一并联支路形成大电阻,而不会像单一片内串联电池组件那样整个电池片内部形成一个大电阻,可有效防止太阳能电池组件的某块区域被阴影或物体遮蔽时造成的电池片效率下降。

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