[实用新型]一种超级电容充电装置有效
| 申请号： | 201220582522.3 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN203014402U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李翠;王爽;王磊 | 申请（专利权）人： | 沈阳创达技术交易市场有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110167 辽宁省沈阳市东陵区白塔*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超级 电容 充电 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于电器技术领域，特别涉及一种超级电容的充电装置。
背景技术
超级电容也叫做电化学电容器，具有性能稳定、使用寿命长等特点，近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势，很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向，超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型提供一种超级电容充电装置。
本实用新型的技术方案是这样实现的：该超级电容充电装置包括微处理器、直流电源、IGBT、限流电阻和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，直流电源开始对超级电容充电，充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。
本实用新型的优点：该超级电容充电装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
附图说明
图1为本实用新型超级电容充电装置结构图。
具体实施方式
本实用新型的详细结构结合实施例加以说明。
该超级电容充电装置结构如图1所示，IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877A，限流电阻选择RXG20-F型线绕电阻。
该超级电容充电装置由微处理器（PIC16F877A）、直流电源、IGBT（1MBI200L-120）、限流电阻（RXG20-F型线绕电阻）和超级电容组成，微处理器PIC16F877A与IGBT相连接，IGBT1MBI200L-120与直流电源和限流电阻相连接，直流电源和超级电容相连接，超级电容和限流电阻相连接。装置工作时，微处理器PIC16F877A发出控制信号，IGBT 1MBI200L-120导通，直流电源开始对超级电容充电，充电回路串联限流电阻是减小大电流对超级电容的冲击。
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