[实用新型]一种RENA刻蚀设备的刻蚀槽的盖板有效
申请号: | 201220581387.0 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN202839550U | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 李茂林;郑旭然;刘自龙;曾庆云 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 徐关寿;吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 rena 刻蚀 设备 盖板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池生产过程中所使用的湿法刻蚀设备的刻蚀槽的盖板,特别是涉及一种RENA刻蚀设备的刻蚀槽的盖板,属于光伏设备制造领域。
背景技术
晶体硅太阳电池常规生产工艺一般包括以下几个工艺过程:清洗、制绒、扩散、刻蚀和去PSG、PECVD、丝网印刷和烧结。其中刻蚀是晶体硅太阳能电池生产工艺过程中的一个重要环节,它的目的是去掉硅片背面和硅片四周的PN结,达到正面和背面绝缘的目的。目前,Rena in-line式结构的设备是一种常用的湿法刻蚀设备。他是在HF/HNO3体系中,利用表面张力和毛吸作用力的作用去除边缘和背面的PN结,而不会影响太阳能电池的工艺结构。这种设备基本结构为:刻蚀槽-水喷淋槽-碱槽-水喷淋槽-去PSG槽-水喷淋槽-吹干。该设备在使用过程中表现出许多优异的性能。
然而,目前RENA刻蚀设备在生产应用中,常会出现刻蚀槽盖板出现水汽凝结的现象。凝结的液滴会滴落在正在生产流通的硅片上,液滴滴落后会在硅片上发生腐蚀反应,导致硅片的外观不良甚至片子的PN结被破坏,片子必须返工造成成本的浪费。刻蚀盖板上凝结的水汽主要是来源于刻蚀槽后的水喷淋槽。水在喷淋过程中会形成大量的水汽,尤其是在气温较高的夏季,水的温度较高,往往要高于生产车间的温度,水的蒸汽分压也较大,大量的水蒸汽会进入到刻蚀槽中。而槽体盖板的温度是受车间的温度控制的,会低于进入槽体内的水蒸气的温度,当水蒸气遇到温度较低的盖板时就发生凝结。因此,盖板容易发生水蒸气凝结的这一问题一直没有得到解决。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种能防止水蒸气凝结的RENA刻蚀设备的刻蚀槽的盖板。
为实现上述目的,本实用新型所采取的技术方案是,一种RENA刻蚀设备的刻蚀槽的盖板,包括顶层、底层和侧边,为双层中空结构。
作为一种改进,在所述的顶层上或侧边处设有进气孔和出气孔。
作为进一步的改进,在所述的顶层和底层间的中空部位设有引导气流流动的隔条。
本实用新型具有双层的中空结构,设置通气孔,中空部位可通入一定温度的气体,起到调控温度的作用。一方面,两层结构可以起保温作用,使底层的温度与槽体内上方的气氛的温度保持一致。因此避免了槽体内的水汽直接接触到温度较低的顶层而发生水汽凝结;另一方面,顶层和底层间的中空部位可以通入一定温度的热风,使盖板保持一定的温度,可以起到更好的防止水汽凝结的效果。未凝结的水汽会通过排风而被排出。
本实用新型的优点是:能够防止水汽在其上面凝结,从而避免了由于液滴滴落在硅片上而造成的返工,减少了成本的浪费;其结构简单,易于实现。
附图说明
图1为本实用新型一种具体实施方式结构示意图。
图2为图1所示本实用新型一种具体实施方式去掉顶层即不包括顶层时的结构示意图。
图3为图1中A-A视图。
图4为图1中B-B视图。
具体实施方式
如图1、图2、图3和图4所示,包括顶层1、底层2和侧边3,中间有空隙,四周通过侧边密封,即为双层中空结构。顶层1上有进气孔5和出气孔6,出气孔6上方有防护罩7,防护罩7的一侧设有通气孔,顶层1和底层2间的中空部位设有引导气流流动的隔条4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造