[实用新型]一种半导体集成晶体管的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体集成晶体管的封装结构。

背景技术

封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装形式的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。由于封装形式的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。

目前，小外形晶体管常用的封装形式有SOT-23型和SC-59型两种。其中SOT-23型封装流行欧式窄管体，该封装形式的塑封体长为2.9毫米，宽为1.3毫米，高为1毫米，参见图1。SC-59（又称SOT-23-3L）封装日式宽管体，该封装形式的塑封体长为2.9毫米，宽为1.6毫米，高为1毫米。对于小信号晶体管而言，由于二者在印刷电路板上的位置相同，使用起来没有任何差别。而对于功率晶体管而言，由于SOT-23-3L型的塑封体相对SOT-23型较宽，可以封装更大的芯片，所以在功耗方面SOT-23-3L型比较有优势。但是SOT-23-3L因为在引线框架的设计时采用了一种密度宽松的结构，封装生产时效率较低，造成生产的成本较高，从而降低了产品的竞争性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种半导体集成晶体管的封装结构，其能够在保证引线框架的密度达到SOT-23型的前提下，让功耗达到SOT-23-3L型的要求。

为解决上述问题，本实用新型所设计的一种半导体集成晶体管的封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，该塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔。上述塑封体的长度为2.9毫米，宽度为1.5毫米，高度为0.9毫米。

上述方案中，所述塑封体长度的上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米。

上述方案中，所述塑封体宽度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。

上述方案中，所述塑封体高度的上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。

上述方案中，所述引脚孔位于塑封体高度的1/3处。

上述方案中，所述上模型腔槽和下模型腔槽的深度比为6∶3。

上述方案中，所述上模型腔槽和下模型腔槽各为一梯形体。

与现有技术相比，本实用新型从外部尺寸上对封装结构的进行改进，这样既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。

附图说明

图1为SOT-23型封装结构外形图。

图2为本实用新型封装结构外形图。

图中标号：1、塑封体；2、引脚。

具体实施方式

一种半导体集成晶体管的封装结构如图2所示，其主要包括一个由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体1。塑封体1的外部形状与现有技术大体相同，即所述塑封体1的外部形状可以为一正方形或对扣梯形体。当塑封体1的外部形状为正方形时，上模型腔槽和下模型腔槽的形状均为正方体。考虑到脱模的方便，所述上模型腔槽和下模型腔槽的开口处最好能够大于其型腔槽的内侧，即上模型腔槽和下模型腔槽均为一梯形体，此时所获得的塑封体1的外部形状为一对扣梯形体。相对现有技术而言，所述塑封体1的外形尺寸发生了改变，即塑封体1的长度保持为2.9毫米，宽度变为1.5毫米，高度变为0.9毫米。由于在实际的生产过程中，较难保证现完美精确的尺寸，因此在本实用新型中，上述塑封体1外形尺寸即塑封体1的长度、宽度和高度均允许存在一定尺寸公差。在塑封体1的长度公差上，其上偏差为0.2毫米，下偏差为0.1毫米。在塑封体1的宽度公差上，其上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。在塑封体1的高度公差上，其上偏差为0.1毫米，下偏差为0.1毫米。

在具体设计过程中，本实用新型在原SOT-23型封装结构的塑封模具上作修改：首先，修改塑封模具上下模型腔槽，使其每边拓宽0.1毫米后让塑封体1宽度从1.3毫米增加到1.5毫米。其次，填高下模型腔槽0.1毫米后让塑封体1高度从1毫米减为0.9毫米。塑封体1下部减少0.1毫米有利于散热，最关键的是引脚2向下弯曲成形时可以每边节省0.1毫米长度，补偿塑封体1宽度每边增加0.1毫米损失的引脚2长度，最终使得包括引脚2在内的产品总宽度控制在2.4到2.8毫米内。