[实用新型]一种波纹石墨三瓣埚

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，特别涉及一种波纹石墨三瓣埚。

背景技术

石墨在现代科技工业中扮演着非常重要的角色，在半导体行业的CZ（CZOChralski）法直拉硅单晶工艺中更是不可缺少的材料。CZ单晶炉是一种半导体厂家生产直拉硅单晶的加热生成炉，是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料融化，用直拉法生长无错位单晶的设备。

其中，石墨埚是放置在单晶炉内盛放石英埚的器皿。在生产单晶硅的过程中，放置硅料的石英埚受热使硅料融化，而石英埚收到的热量是石墨三瓣埚从加热器处吸收到的热量，即石英埚通过石墨埚从加热器处吸收热量。

目前，用于盛放石英埚的石墨埚是石墨三瓣埚，极大的方便了对石英埚的取放。传统地，在生产石墨三瓣埚时采用机加工，以提高石墨三瓣埚的生产效率。但是，机加工后的石墨三瓣埚的外表面较光滑，使得吸热面积只是石墨三瓣埚的光滑外表面，即受热面积有限，不利于快速达到熔料的温度。

因此，如何提供一种石墨三瓣埚，增大外表面面积，以增大受热面积，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种波纹石墨三瓣埚，增大外表面面积，以增大受热面积。

为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：

一种波纹石墨三瓣埚，包括三个可围成一个具有一个开口的石墨埚的埚体，其中，三个所述埚体中至少有一个埚体的外表面设置有凸起或/和凹槽形成。

优选地，上述的波纹石墨三瓣埚中，三个所述埚体的外表面均设置有所述凸起或凹槽。

优选地，上述的波纹石墨三瓣埚中，所述凸起或凹槽均为多个，且均沿所述埚体的外表面纵向均匀分布。

优选地，上述的波纹石墨三瓣埚中，所述凹槽或所述凸起的个数为26个。

优选地，上述的波纹石墨三瓣埚中，所述凹槽为弧形凹槽。

优选地，上述的波纹石墨三瓣埚中，所述凹槽的槽深为1mm-2mm。

从上述的技术方案可以看出，本实用新型提供了一种波纹石墨三瓣埚，包括三个可围成一个具有一个开口的石墨埚的埚体，其中，三个上述埚体中至少有一个埚体的外表面设置有凸起或/和凹槽。通过在埚体的外表面设置凸起或/和凹槽，可使得埚体的外表面与外界接触的表面积增大，即增加了埚体的受热面积，从而提高了埚体受热的速度，提高了吸热效率，进而在拉晶过程中极大的缩短了化料时间，缩短了工艺周期。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的波纹石墨三瓣埚的埚体的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型核心是提供一种波纹石墨三瓣埚，增大外表面面积，以增大受热面积。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。

请参考图1，本实用新型公开了一种波纹石墨三瓣埚，包括三个可围成一个具有一个开口的石墨埚的埚体1，其中，三个埚体1中至少有一个埚体1的外表面设置有凸起或/和凹槽2。

通过在埚体1的外表面设置凸起或/和凹槽2，可使得埚体1的外表面与外界接触的表面积增大，即增加了埚体1的受热面积，从而提高了埚体1受热的速度，提高了吸热效率，进而在拉晶过程中极大的缩短了化料时间，缩短了工艺周期。

为了保证放置在波纹石墨三瓣埚内的石英埚的受热均匀，本实施例中将三个埚体1的外表面均设置了凸起或/和凹槽2。本领域技术人员可以理解的是，在实际生产中，可根据不同的加工条件和成产成本选择不同的加工方法。优选地，在传统的石墨三瓣埚加工的基础上增加一道工序，即在外表面光滑的石墨三瓣埚的外表面通过齿轮铣刀，沿埚体1的纵向在其外表面铣出凹槽2。在不考虑成本的情况下，可通过浇筑的方式在埚体1的外表面设置凸起，然后再对埚体1进行进一步的加工。

为了保证波纹石墨三瓣埚的硬度和进一步增大其受热面积，本实施例中，将凸起或凹槽2均设置为多个，且均沿埚体1的外表面均匀分布。在实际生产中，可只设置凸起或只设置凹槽2，或同时设置凹槽2和凸起，以进一步增大接触面积。在设置时，可横向设置也可纵向设置，本实施例不对具体的设置方向做限定，只要均匀布置即可。

具体的实施例中，根据波纹石墨三瓣埚的埚体1的大小和熔料的时间，本实施例中将凹槽2或凸起设置为26个，且沿埚体1的纵向布置。本领域技术人员可以理解的是，不同的熔料时间和不同大小的埚体1上设置的凹槽2或凸起的个数可相应的进行更改，且均在保护范围内。