[实用新型]阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及显示装置。

背景技术

高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，ADS）是平面电场宽视角核心技术，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转。从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

目前ADS面板被广泛使用，其改进技术还有高开口率的ADS(也称作H-ADS),常用的小尺寸高开口率ADS显示面板为了获得高开口率对数据（S/D）线进行屏蔽（Shielding），传统的屏蔽方式为将数据线用公共电极进行屏蔽，即在数据线上方也设置公共电极。但是，数据线和公共电极会产生耦合电容，由于对于显示面板来说，其上所设置的数据线众多，且施加在数据线上的电压是变化的，因此，会增大数据IC的负载，增加了面板的功耗。

为了解决上述问题，现有技术中存在一种采用了一层树脂（Resin）层的ADS显示面板。如图1~4所示，该显示面板的阵列基板上依次形成有：栅金属层（包括栅极101、栅线102以及公共电极线103）、栅绝缘层2、源漏金属层（包括源电极301、漏电极302以及数据线303）、树脂层4、公共电极层（包括公共电极501）、钝化层6、以及像素电极层（包括多个条状像素电极701）。其中，像素电极701通过钝化层601过孔以及树脂层401过孔与漏电极301电连接，公共电极501通过钝化层过孔601与公共电极线103电连接。该显示面板在形成栅金属层、源漏金属层之后，使用涂布工艺涂布了一层树脂层4，而后在该树脂层4上方形成公共电极501以及像素电极701等结构，其中，公共电极501不仅形成在显示区域，还形成在数据线303上方，树脂层4的设置减少了数据线303和公共电极501之间的耦合，面板功耗有所降低，进而由于耦合电容而导致的相关不良也得到了改善。

但是，由于增加了树脂层4，为了实现像素电极701与漏电极302之间的电连接，需要形成该树脂层过孔，由于树脂层的存在，像素电极701与漏电极302之间的厚度增加，因此，树脂层过孔的上开口会做的较一般的钝化层过孔更大，且漏电极302有具有一定的宽度，为了防止漏光，彩膜基板上对应该处漏电极302的黑矩阵宽度会更大些。随着面板尺寸的增大，分辨率的提高，像素面积越来越小，这样的结构会产生较大的开口率损失，影响面板的分辨率。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：提供一种保证较高的开口率和分辨率的阵列基板以及显示装置，且又能避免由于数据线和公共电极的耦合所导致的相关不良及功耗高的问题。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括：若干栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的若干像素单元，所述像素单元包括：薄膜晶体管、像素电极及公共电极，其特征在于，所述数据线与所述公共电极不重叠。

其中，所述栅线上方设置所述公共电极。

其中，所述像素电极为狭缝像素电极，公共电极为板状电极，每条所述狭缝像素电极与所述栅线平行。

其中，所述公共电极为狭缝公共电极，像素电极为板状电极，每条所述狭缝公共电极与所述栅线平行。

其中，所述栅线上方设有所述狭缝公共电极；位于所述栅线上方的狭缝公共电极的数量为一条，而且该狭缝公共电极在阵列基板上的投影覆盖所述栅线。

其中，所述像素电极与所述公共电极之间还设置有绝缘层。

其中，所述像素电极与所述公共电极均为狭缝电极，交叉设置于同一层。

其中，所述栅线和公共电极之间设有绝缘层。

其中，所述像素电极和数据线之间设有绝缘层。

其中，所述像素电极和数据线位于同一层。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。

（三）有益效果