[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

在显示技术领域，平板显示装置，如液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）和有机电致发光显示器（Organic Light Emitting Display，OLED），因其具有轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示领域占据重要的地位。尤其是大尺寸、高分辨率，以及高画质的平板显示装置，如液晶电视，在当前的平板显示器市场已经占据了主导地位。

目前，图像信号的延迟成为制约大尺寸、高分辨率及高画质平板显示装置的关键因素之一。具体地，图像信号的延迟主要由基板上的栅极、栅极线，或数据线等信号电阻R和相关电容C决定。随着显示装置尺寸的不断增大，分辨率不断提高，驱动电路施加的信号频率也不断提高，图像信号的延迟越来越严重。在图像显示阶段，栅极线打开，像素充电，由于图像信号的延迟，某些像素充电不充分，导致图像显示画面的亮度不均匀，严重影响图像的显示质量。降低栅极、栅极线，数据线等的电阻可以减小图像信号的延迟，改善图像的画质。

目前，降低栅极线和数据线的电阻的方法为：采用电阻较低的金属Cu制作栅极线和数据线。但是存在以下缺点：

Cu金属易扩散，很容易扩散到栅极保护层、半导体层、或钝化层中，严重影响了薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的性能。现有在沉积Cu金属作为栅极线或数据线之前或之后，沉积一层阻挡层，阻止Cu离子向栅极绝缘层和半导体层扩散,但在后续加热工艺中，Cu离子的活性增加，可以穿越绝缘阻挡层渗透到半导体层，严重影响TFT性能，使得图像的画质更差，甚至破坏TFT的正常工作。

现有基板上的TFT以及制作方法会引起TFT性能下降，图像画质较差的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以提高TFT的性能，提高图像的画质。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供的薄膜晶体管，包括：

基板、形成在所述基板上的栅极、源漏极、半导体层；以及

形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的栅极绝缘层、位于半导体层与源漏极之间的刻蚀阻挡层，以及位于所述源漏极与栅极绝缘层之间的第一金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层绝缘设置。

本实用新型实施例还提供一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。

本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本实用新型实施例提供的薄膜晶体管，在源漏极与栅极绝缘层之间设置有第一金属阻挡层，该第一金属阻挡层有效阻止源漏极金属离子向栅极绝缘层和栅极扩散。提高TFT的性能，提高图像的画质。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例提供的底栅型阵列基板结构俯视示意图；

图2为图1所示的TFT在结构在A-B向的截面示意图；

图3为图2所示的具有第一金属阻挡层的TFT结构示意图；

图4为图2所示的具有第一金属阻挡层的TFT结构俯视示意图；

图5为图2所示的具有第二金属阻挡层的TFT结构示意图；

图6为本实用新型第二实施例提供的顶栅型阵列基板结构示意图。

具体实施方式

本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以提高TFT的性能，提高图像的画质。

本实用新型实施例提供的薄膜晶体管包括：

基板、形成在所述基板上的栅极、源漏极、半导体层；以及

形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的栅极绝缘层、位于半导体层与源漏极之间的刻蚀阻挡层，以及位于所述源漏极与栅极绝缘层之间的第一金属阻挡层；其中，所述第一金属阻挡层与所述半导体层同层绝缘设置。

所述源极和漏极由铜金属制作而成，为了避免铜金属离子扩散到栅极绝缘层、栅极，对栅极和栅极绝缘层造成污染，导致TFT性能下降，本实用新型在源漏极和栅极绝缘层之间形成第一金属阻挡层，阻挡源漏极金属离子扩散。

为了防止源漏极金属铜离子扩散到半导体层，在半导体层和源漏极层之间设置第二金属阻挡层，该第二金属阻挡层不仅可以阻挡金属铜离子扩散到半导体层，还可以进一步阻挡金属铜离子扩散到栅极绝缘层和栅极。

本实用新型实施例提供的薄膜晶体管TFT可以是底栅型或顶栅型结构，下面通过附图具体说明本实用新型实施例提供的底栅型或顶栅型TFT。

实施例一：底栅型TFT。