[实用新型]气相外延材料生长多腔分步式处理装置有效
| 申请号： | 201220573278.4 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN203007478U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 袁志鹏;刘鹏;张俊业;王健辉;王永旺;张国义;童玉珍;孙永健 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭一兵;王东亮 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 材料 生长 分步 处理 装置 | ||
1.一种气相外延材料生长多腔分步式处理装置，包含有：一个及以上的工艺处理腔，其特征在于，所述工艺处理腔侧边设有两个及以上的分步HVPE外延生长腔，所述工艺处理腔与分步HVPE外延生长腔之间设有一个及以上的装载/卸载晶片室，所述工艺处理腔、装载/卸载晶片室与分步HVPE外延生长腔之间设有传递石墨托盘的一个及以上的联动传递结构，所述工艺处理腔、分步HVPE外延生长腔、装载/卸载晶片室内设有石墨盘装载盒。
2.根据权利要求1所述的气相外延材料生长多腔分步式处理装置，其特征在于， 所述分步HVPE外延生长腔顶部设有第一顶部法兰，所述第一顶部法兰上具有高温联接管道，所述第一顶部法兰下面设有第一腔体部分，所述第一腔体部分下面设有第一取片口，所述分步HVPE外延生长腔内部设有带转动盘的升降装置；
所述分步HVPE外延生长腔包含有：第一HVPE外延生长腔、第二HVPE外延生长腔、第三HVPE外延生长腔。
3.根据权利要求1所述的气相外延材料生长多腔分步式处理装置，其特征在于，所述工艺处理腔顶部设有第二顶部法兰，所述第二顶部法兰上部连接高温气体管道，所述第二顶部法兰下面设有第二腔体部分，所述第二腔体部分的外壳是一个主加热器，所述第二腔体部分的内部是空腔，所述第二腔体部分下面设有取晶体片口。
4.根据权利要求1所述的气相外延材料生长多腔分步式处理装置，其特征在于，所述工艺处理腔的主体上设置多段快速升降温加热器，顶部设有气体输送法兰，中部设有密封腔室，下部设有取放晶片结构。
5.根据权利要求1所述的气相外延材料生长多腔分步式处理装置，其特征在于，所述分步HVPE外延生长腔征包含：气体输运装置、反应腔、尾气处理装置、加热器、取放晶片结构。
6.根据权利要求1所述的气相外延材料生长多腔分步式处理装置，其特征在于，所述装载/卸载晶片室上设有进料口、取料口；
所述装载/卸载晶片室包含有：装载/卸载晶片一室、装载/卸载晶片二室。
7.根据权利要求1所述的气相外延材料生长多腔分步式处理装置，其特征在于，所述联动传递结构包含传递机械手，所述传递机械手前端设有传递石墨盘装载盒的夹具，所述传递机械手主体部分具有360°的旋转自由度；
所述墨盘装载盒内设有石墨托盘。
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