[实用新型]电磁环境模拟密集脉冲流产生系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及电磁环境模拟脉冲流领域，尤其涉及一种电磁环境模拟密集脉冲流产生系统。

背景技术

在电磁环境模拟器中，用单通道模拟多目标雷达辐射信号，主控计算机可事先根据战情设置解算出需产生的雷达脉冲串的全部时域、频域和幅度特征，并以编码（脉冲描述字）方式存储在计算机硬盘中；仿真试验开始时，计算机将硬盘数据分段导入模拟器主脉冲产生单元的SRAM中，该单元硬件控制逻辑自动从SRAM中顺序读取脉冲描述字，译码后输出视频主脉冲和相关并行数据给基带信号产生单元。

为模拟真实的电磁环境，需产生的脉冲流密度应不小于50万脉冲/秒，这对方案的实时性提出了很高的要求。不失一般性，假设一次仿真试验需持续30分钟左右，则需产生的脉冲串个数为30×60×500000＝900 000 000，假设一个脉冲描述字需占用9个存储单元（字宽为32bit），故脉冲串的总存储深度为：900000000×9×32bit＝30G×8bit＝30GByte。如此巨量的数据全部一次存储在主脉冲产生单元中，显然不太现实，若使用现有的存储容量进行存储，在试验过程中数据重复播放，则又不能真实的模拟电磁环境信号。

发明内容

本实用新型实施例的目的是：提供一种电磁环境模拟密集脉冲流产生系统，具有高速、真实的产生雷达脉冲信号。

本实用新型实施例提供的一种电磁环境模拟密集脉冲流产生系统，包括：

第一存储器、第二存储器，缓存脉冲描述字；

FPGA模块，接收传输进来的数据，并将所述数据分段存储至第一存储器和第二存储器，同时还可以分别从所述第一存储器或者第二存储器读取脉冲描述字并进行译码回放；

PCI桥接芯片，实现所述FPGA模块与所述PCI总线间的数据通信；

PCI总线，将分段的仿真试验数据以1ms步长形式通过所述PCI桥接芯片输送至所述FPGA模块；

所述FPGA模块分别与所述第一存储器、第二存储器、PCI桥接芯片、PCI总线相互电相连。

可选的，所述第一存储器和第二存储器选用IDT70V7519型号。

可选的，所述FPGA模块选用XC3S2000系列。

可选的，所述PCI桥接芯片采用的PCI9056型号。

可选的，所述PCI总线采用的是32bit/33MHz PCI总线。

由上可见，应用本实用新型实施例的技术方案，采用两个存储器即第一存储器和第二存储器，为所述FPGA模块提供边下载和边回放的乒乓模式生产雷达脉冲，即当所述FPGA模块向所述第一存储器下载数据时，也可以从所述第二存储器读取脉冲描述字进行译码回放，或者当所述FPGA模块向所述第二存储器下载数据时，也可以从所述第一存储器读取脉冲描述字进行译码回放。与此同时，具有高速下载能力的PCI总线借助所述PCI桥接芯片进行数据的高速下载与传输，从而实现数据的通信，最终使得所述FPGA模块实现实时模拟产生雷达脉冲流信号。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型的不当限定，在附图中：

图1为本实用新型实施例1提供的一种电磁环境模拟密集脉冲流产生的系统的结构框图。

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。

实施例1：

如图1所示，本实用新型所述的电磁环境模拟密集脉冲流产生的系统，包括第一存储器1、第二存储器2、FPGA模块3、PCI桥接芯片4和PCI总线5，所述FPGA模块3分别与所述第一存储器1、第二存储器2、PCI桥接芯片4、PCI总线5相互电相连。

所述第一存储器1和第二存储器2分别选用的是IDT70V7519型号，具有8K×32bit的高速SRAM芯片，用来缓冲脉冲描述字。假设脉冲密度为50万脉冲/秒，平均每2μs来一个脉冲，最小仿真周期即乒乓间隔设为1ms时，第一存储器1或第二存储器2的存储深度都不小于1ms÷2μs＝500个脉冲描述字，一个脉冲描述字占用9×32bit，所以第一存储器1或第二存储器2的存储深度为500×9×32bit＝4500×32bit≈4.39K×32bit。