[实用新型]半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。

背景技术

目前，半导体装置，如液晶显示器的驱动芯片，通常集成有半导体电容。该半导体电容，如N井(N-WELL)电容或P井(P-WELL)电容等，一旦操作在耗尽区(depletion region)与反转区(inversion region)时，该半导体电容整体的电容值会大幅下降。从而，影响该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能的稳定性。

实用新型内容

为解决现有技术半导体电容工作在耗尽区与反转区时的电容值较不稳定的技术问题，有必要提供一种电容值比较稳定的半导体电容。

为解决现有技术半导体装置的半导体电容工作在耗尽区与反转区时的电容值较不稳定的技术问题，有必要提供一种具有上述半导体电容的半导体装置。

本实用新型提供一种半导体电容，其包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70%。

优选地，该上电极板包括多晶硅层。

在一实施例中，当该第一子井区为该电容井区的部分区域时，该电容井区进一步包括第二子井区，该第一子井区的掺杂浓度大于该第二子井区的掺杂浓度。

进一步地，该第二子井区围绕该第一子井区设置。

更进一步地，该上电极板对应该第一子井区设置。

另外，该下电极板包括二扩散区，每一扩散区对应设置于该第二子井区上，且该二扩散区通过该第一子井区相间隔。

优选地，该上电极板与该扩散区不重迭。

优选地，该绝缘层的大小及形状与该上电极板的大小及形状对应相同。

在另一实施例中，该扩散区对应设置于该第一子井区上。

进一步地，该上电极板包括开口，该开口对应该扩散层设置。

更进一步地，该上电极板覆盖于该电容井区，且该扩散层曝露于该开口。

优选地，该上电极板与该扩散区不重迭。

优选地，该绝缘层的大小及形状与该上电极板的大小及形状对应相同。

优选地，在沿平行于该半导体电容的堆叠方向，该第一子井区的长度较该第二子井区长度的长。

可变更地，该第一子井区为该电容井区的全部区域。

优选地，该第一子井区的掺杂浓度达到该预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过35%。

具体地，该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比为30%。

本实用新型提供一种半导体装置，其包括基底及形成于该基底上的半导体电容。该半导体电容包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70%。

优选地，该上电极板包括多晶硅层。

在一实施例中，当该第一子井区为该电容井区的部分区域时，该电容井区进一步包括第二子井区，该第一子井区的掺杂浓度大于该第二子井区的掺杂浓度。

进一步地，该第二子井区围绕该第一子井区设置。

更进一步地，该上电极板对应该第一子井区设置。

另外，该下电极板包括二扩散区，每一扩散区对应设置于该第二子井区上，且该二扩散区通过该第一子井区相间隔。

优选地，该上电极板与该扩散区不重迭。

优选地，该绝缘层的大小及形状与该上电极板的大小及形状对应相同。

在另一实施例中，该扩散区对应设置于该第一子井区上。

进一步地，该上电极板包括开口，该开口对应该扩散层设置。

更进一步地，该上电极板覆盖于该电容井区，且该扩散层曝露于该开口。