[实用新型]AMOLED像素结构

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种AM OLED像素结构的设计。 

背景技术

在平板显示技术中，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器（LCD）之后的第三代显示技术。主动式OLED（Active Matrix OLED，AM OLED）也称为有源矩阵OLED，AM OLED因通过在每个像素中集成薄膜晶体管（TFT）和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动，因而可以实现大尺寸、高分辨率面板，是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。 

AM OLED的基本像素电路结构是利用图1所示的2TFT1CAP结构，构成面板，基本像素电路具体由2个晶体管T1、T2和由1个电容C1组成。在有机发光元件D1上连接驱动用薄膜晶体管T2，提供发光的电流；另外，驱动用薄膜晶体管T2的电流量由通过开关薄膜晶体管T1输入的DATA电压来控制，此时电容C1连接在驱动薄膜晶体管的源极和栅极之间用于在预定时间内维持所施加电压，开关薄膜晶体管T1的栅极和源极分别和扫描线和数据线连接。细看图1的动作，会发现开关薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管的栅极上输入的信号而动作的话，数据电压信号通过数据线输入在驱动用薄膜晶体管T2的栅极上。输入在栅极的数据电压通过驱动用薄膜晶体管，有机发光元件上有电流流动，使其发光，有机发光元件根据注入的电流的大小，散发光。 

AM OLED中传统的像素结构如图2所示，图中示出了两个像素单元的结构。其中，SCAN、DATA和VDD分别表示扫描线、数据线和电源线；ITO为有机材料区，表示像素的发光面积，所示发光面积与像素总面积的百分比值即为像素的开口率；TFT&CAP表示图1所示的像素电路，包括TFT晶体管和电容CAP。在传统的电路中，扫描线SCAN与据线DATA交叉排列，电源线VDD与数据线DATA平行并与扫描线SCAN交叉，所述DATA和VDD布置于像素结构的各个子像素之间，SCAN布置于像素结构之间。 

AM OLED上述利用的传统的像素电路，没有考虑显示装置的品质，只是为了点亮有机二极管，使用于显示装置，上述结构的像素电路容易导致扫描线SCAN的信号串线，同时像素的开口率受到限制。 

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有AM OLED像素电路存在的上述问题，提出了一种 AM OLED像素电路。 

本实用新型的技术方案为：一种AM OLED像素结构，包括：一个或多个子像素结构，所述子像素结构包括有机材料区、电路元件区、扫描线SCAN、数据线DATA和电源线VDD，所述多个子像素结构分别显示不同的颜色并根据数据线信号的大小显示不同的灰度值，所述像素结构根据子像素结构的不同灰度值显示不同的颜色，所述扫描线和数据线用于输入扫描信号和数据信号，所述电源线用于提供电源； 

其特征在于， 

所述数据线DATA位于像素结构内各子像素之间并按电路结构与相应的电路元件连接；所述扫描线SCAN和电源线VDD平行布置于像素结构之间的间隙并与数据线DATA保持垂直。 

本实用新型的有益效果：本实用新型的AM OLED像素结构通过改变电源线VDD的布置，具体地说是将现有的布置于子像素之间的电源线VDD重新布置于与之垂直的像素之间，在不改变像素电路的情况下使像素开口率提高并能有效减少扫描线SCAN的串线问题。 

附图说明

图1为现有的AM OLED像素电路结构示意图。 

图2为现有的AM OLED像素结构示意图。 

图3为本实用新型的AM OLED像素结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和具体的实施例对本实用新型作进一步的阐述。 

本方案的目的是改善AM OLED的品质，提升面板的开口率。 

本实施例的AM OLED像素结构，如图3所示，包括：一个或多个子像素结构，所述子像素结构包括有机材料区、TFT电路元件区、扫描线SCAN、数据线DATA和电源线VDD，所述多个子像素结构分别显示不同的颜色并根据数据线信号的大小显示不同的灰度值，所述像素结构根据子像素结构的不同灰度值组合显示不同的颜色，所述扫描线和数据线用于输入扫描信号和数据信号，所述电源线用于提供电源；