[实用新型]一种半导体晶片抛光系统有效
| 申请号: | 201220564271.6 | 申请日: | 2012-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN203031439U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
| 发明(设计)人: | 唐强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B37/34;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 晶片 抛光 系统 | ||
1.一种半导体晶片抛光系统,其特征在于,所述半导体晶片抛光系统包括:
能够上下移动的抛光台;
抛光垫,紧贴于所述抛光台上表面;
能够上下左右移动的抛光头,设于所述抛光垫上方,用以保持抛光目标;
抛光剂供给部件,设于所述抛光垫的上方且位于抛光头的一侧;
半导体晶片清洗装置,设于所述抛光台的一侧,用于清洗抛光目标;所述半导体晶片清洗装置包括清洗槽,所述清洗槽内设有清洗剂喷射部件;所述半导体晶片清洗装置还包括清洗剂供给部件,所述清洗剂供给部件与所述清洗剂喷射部件相通。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片抛光系统,其特征在于:所述清洗剂喷射部件包括至少1个喷嘴。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片抛光系统,其特征在于:所述喷嘴设于清洗槽内的侧面或/和底面。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片抛光系统,其特征在于:所述清洗剂为去离子水。
5.根据权利要求1所述的半导体晶片抛光系统,其特征在于:所述抛光台以旋转的方式上下移动;所述抛光头以旋转的方式相对于所述抛光台上下移动。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片抛光系统,其特征在于:所述抛光头左右移动往返于抛光台与清洗槽之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220564271.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种改进的磨盘
- 下一篇:一种数控立式六角钻铣床





