[实用新型]真空烧结炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于生产烧结钕铁硼磁体的真空烧结炉。

背景技术

烧结是生产烧结钕铁硼磁体的必经步骤，这个步骤通常在真空烧结炉中进行。在以往的真空烧结炉中，例如CN2044710和CN2781304，加热室的形状为水平放置的长方体或圆筒形，作为加热元件的钼丝或钼片呈环状地分布在加热室四周的内壁上。在烧结过程中，钼丝或钼片发出的热以热辐射的方式到达待烧结的钕铁硼磁体，从而对它们进行加热。

然而，这种烧结炉的加热室，由于其加热元件位于加热室的四周，所发出的热以热辐射的方式到达待烧结的钕铁硼磁体，因而需要较长时间才能使待烧结的钕铁硼磁体的中心温度与外部温度一致，例如，一般需要6小时。

具体来说，因为采用热辐射的方式，因而加热室内的温度分布为越远离加热室的四周（即，越远离加热元件），则温度越低。即，加热室四周的温度高，而中心的温度低。这导致为了使位于加热室中的待烧结的钕铁硼磁体的中心温度与外部温度一致，需要较长的时间，因而生产效率不高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的一个目的在于提供一种真空烧结炉，使得只需较短的时间即可使待烧结的钕铁硼磁体的中心温度与外部温度一致，从而提高生产效率。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种真空烧结炉，包括炉体（1）和加热元件（2），所述加热元件（2）限定用于加热的空间，其中，在所述空间内，还设置有第二加热元件（3），所述第二加热元件（3）将所述空间分为多个子空间，待烧结物放置在所述子空间内。

本实用新型提供的真空烧结炉，所述第二加热元件（3）呈板状。

本实用新型提供的真空烧结炉，所述第二加热元件（3）由丝蜿蜒成片状。

本实用新型提供的真空烧结炉，所述第二加热元件（3）的数量为多个。

本实用新型提供的真空烧结炉，所述第二加热元件（3）相互平行地布置。

本实用新型提供的真空烧结炉，所述第二加热元件（3）交叉地布置。

本实用新型提供的真空烧结炉，由于在炉体内设置第二加热元件将炉体内的空间分为多个子空间，使得不仅能从炉体四周，还能从炉体中心以热辐射的方式对钕铁硼磁体加热，从而只需较短的时间即可使钕铁硼磁体的中心温度与外部温度一致，从而提高生产效率。

附图说明

图1是根据本实用新型一个实施方式的真空烧结炉的结构示意图。

图2是示出加热钼带的形状的示意图。

具体实施方式

以下结合附图来详细说明本实用新型。

图1是根据本实用新型一个实施方式的真空烧结炉的结构示意图。图1是本实用新型的真空烧结炉的剖面示意图。从图1可以看出，真空烧结炉包括：炉体1，加热钼丝圈2，加热钼带3。炉体1由加热钼丝圈2加热，构成加热室。在炉体1中，放置待烧结的钕铁硼磁体4。

作为加热元件的一个例子，加热钼丝圈2位于炉体1的四周，以热辐射的方式对钕铁硼磁体4进行加热。

此外，在炉体1中，除了位于四周的加热钼丝圈2之外，在炉体1的大致中间位置还具有加热钼带3（第二加热元件）。加热钼带3将炉体1内的空间分为左、右两个子空间。由于设置了加热钼带3，因而改变了当仅具有加热钼丝圈2时炉体1内的温度分布。

具体来说，当仅具有加热钼丝圈2时，加热钼丝圈2附近的温度最高，越靠近炉体1的中心，温度越低。相反，当设置了加热钼带3时，加热钼带3附近的温度也变高。并且，由于加热钼带3将炉体1内的大空间分为两个子空间，因而每个子空间内的温度比大空间时的温度高。由于以上两方面的原因，与不具有加热钼带3时相比，炉体1内的温度分布被改变，因而缩短了使钕铁硼磁体4的中心温度与外部温度一致所需的时间。

加热钼带3可由钼丝制成，蜿蜒成大致矩形片状，如图2所示。此外，加热钼丝圈2和加热钼带3也可以由其它材料以其它方式制成，例如，钼片、硅钼棒、硅碳棒、石墨管等。

在上述实施方式中，加热钼带3的数目为一个，但是，本实用新型不限于此，加热钼带3的数目可以是多个。例如，平行设置两个加热钼带3，将炉体1内的空间分为三个子空间；或者相互垂直地设置两个加热钼带3，将炉体1内的空间分为四个子空间；或者平行设置三个加热钼带3，将炉体1内的空间分为四个子空间，等等。此外，还可以将一个加热钼带3形成为十字形，从而将炉体1内的空间分为四个子空间。

在上述实施方式中，加热钼丝圈2位于炉体1的整个内壁，但是，本实用新型不限于此，加热钼丝圈2可以仅位于炉体1的部分内壁。