[实用新型]具有对位标记的半导体器件以及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种具有对位标记的半导体器件以及显示装置。

背景技术

目前，在显示装置的制造过程中，通常采用玻璃上芯片(Chip On Glass, COG)技术将半导体器件(如：芯片)压合到显示装置的透明基板上。为使该半导体器件能够被压合到该透明基板的正确位置上，通常在该半导体器件及该透明基板上分别设置相应的对位标记。具体地，该半导体器件上所设置的对位标记通常包括多个第一图案与第二图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置，该多个第一图案与该第二图案系由同一层金属布线蚀刻而成。其中，该第二图案的形状与该透明基板上所设置的对位标记的形状相对应。

在压合该半导体器件到该透明基板的过程中，利用光电检测器或裸眼检测到该半导体器件上的对位标记及该透明基板上的对位标记后，再将该半导体器件上的对位标记的第二图案与该透明基板上的对位标记进行精确对准，从而使得该半导体器件能够被压合到该透明基板的正确位置上。

然，由于该多个第一图案与该第二图案系由同一层金属布线蚀刻而成，因此，该多个第一图案所对应的区域的亮度与该第二图案所对应的区域的亮度相差不大，即，二区域之间的视觉差别不大，从而导致光电检测器或裸眼很难检测区分该半导体器件上的二对位标记，故，该半导体器件与该透明基板很难实现高度精确对准。

实用新型内容

为解决现有技术半导体器件的对位标记的对比度较低的技术问题，有必要提供一种具有对比度较高的对位标记的半导体器件。

为解决现有技术显示装置的半导体器件的对位标记的对比度较低的技术问题，有必要提供一种具有对比度较高的对位标记的半导体器件的显示装置。

一种半导体器件，其包括:

半导体衬底；及

对位标记，该对位标记设置在该半导体衬底上，该对位标记包括：

第一层状结构，该第一层状结构设置在该半导体衬底上，该第一层状结构包括间隔设置的多个第一图案；及

第二层状结构，该第二层状结构设置在该第一层状结构上，该第二层状结构包括第二图案；

其中，该多个第一图案及该第二图案均为非透明图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置。

优选地，该半导体器件上设有预设区，每一预设区中对应设置该对位标记，定义该对位标记对应该第二图案所在的区域为第一区域，该预设区内除该第一区域的外的区域则为第二区域，该第一区域的亮度小于该第二区域的亮度，以增加该对位标记的第一区域与第二区域之间的亮度差异。

优选地，该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案，且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。

进一步地，对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案在该第一层状结构中均匀分布。

优选地，该对位标记进一步包括第三层状结构，该第三层状结构沿该半导体衬底厚度方向，设置在该第一层状结构与该第二层状结构之间，该第三层状结构包括间隔设置的多个第三图案，该多个第三图案为非透明图案，且该多个第三图案位于该第二区域内并围绕该第二图案设置，该多个第三图案与该多个第一图案相互配合，以增加该对位标记的第一区域与第二区域的亮度差异。

在一实施例中，每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。

在另一实施例中，该多个第一图案与该多个第三图案错开设置。

优选地，该第三层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第三图案，且对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案彼此间隔分布。

优选地，该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案，且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。

优选地，对应该第二图案设置的每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。

优选地，对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案在该第三层状结构中均匀分布。

优选地，该第三层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第三图案，且对应该第二图案设置的多个第三图案与围绕该第二图案设置的多个第三图案彼此间隔分布。

优选地，该第一层状结构中进一步包括对应该第二图案设置的多个间隔分布的第一图案，且对应该第二图案设置的多个第一图案与围绕该第二图案设置的多个第一图案彼此间隔分布。

优选地，对应该第二图案设置的每一第一图案与至少一第三图案部分重叠。