[实用新型]聚合物镀石墨结构有效

专利信息
申请号: 201220546334.5 申请日: 2012-10-23
公开(公告)号: CN202895835U 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 邓联文;徐丽梅 申请(专利权)人: 昆山汉品电子有限公司
主分类号: B32B27/06 分类号: B32B27/06;B32B9/04;C23C14/06
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 李金万
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 聚合物 石墨 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种聚合物镀石墨结构,属于石墨材料技术领域。 

背景技术

随着现代化科技的发展,尤其是电子工业和信息技术的飞速发展,对具有导电性能的高分子材料的需求与日俱增,而复合型导电聚合物是指以高分子聚合物作为集体,加入相当数量的导电物质复合而成,兼具有高分子材料的加工性与聚合物材料的导电性,能在较大范围内调节电学和力学性能,而石墨以其具有良好的润滑性、耐磨性被作为理想的填充材料。然而石墨本身易碎,同时纵向传热性能较差。 

发明内容

本实用新型提出了一种聚合物镀石墨结构,用以解决石墨易碎,纵向传热性差的问题。 

为实现这一目的,本实用新型所采用的结构是:一种聚合物镀石墨结构,包括石墨层和聚合物层,石墨层通过真空镀设于聚合物层表面。 

所述聚合物层为聚酯薄膜的层体或聚酰亚胺的层体或聚碳酸酯的层体或聚乙烯的层体。 

所述聚合物层的厚度为0.05μm-2μm。 

所述石墨层的厚度大于或等于0.01mm。 

其有益效果是:聚合物箔层可有效得改良石墨易碎、纵向传热性能差的问题,同时,石墨层通过真空镀设于聚合物层表面,大大减少了化学电镀造成的 工业污染。 

附图说明

本实用新型将通过例子并参照附图的方式说明,其中: 

图1是本实用新型剖视结构图。 

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。 

本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。 

如图1所示,本实用新型提出了一种聚合物镀石墨结构,包括石墨层2和聚合物层1,石墨层2的厚度大于或等于0.01m,聚合物层1的厚度在0.05μm-2μm之间。石墨层2通过真空镀设于聚合物层1表面,真空镀包括有物理气相沉积法和化学气相沉积法,有效地减少了由化学电镀法造成的工业污染。聚合物层1有效地解决了石墨层2易碎切纵向传热性差的问题,期间,聚合物层1为聚酯薄膜的层体或聚酰亚胺的层体或聚碳酸酯的层体或聚乙烯的层体。 

本实用新型并不局限于前述的具体实施方式。本实用新型扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。 

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