[实用新型]封装基板的构造

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装基板的构造，特别是有关于一种可增加层间导通孔结合可靠度的的封装基板的构造。

背景技术

现今，半导体封装产业为了满足各种高密度及微型化的封装需求，以供更多有源、无源元件及电路载接，半导体封装亦逐渐由双层电路发展出多层电路板(multi-layer circuit board)，在有限空间下利用层间连接技术(Interlayer connection)以扩大半导体封装基板(substrate)上可供运用的电路布局面积，以达到高电路密度的积体电路需要，降低封装基板的厚度，以在相同基板单位面积下容纳更大量的电路及电子元件。

一般多层电路电路封装基板主要由多个电路层(circuit layer)及多个介电层(dielectric layer)交替迭合所构成。通常电路层是由铜箔层搭配图案化光刻胶及蚀刻的工艺所制成，一般具有至少一电路及至少一连接垫；而介电层形成于电路层之间，用以保护并隔开各个电路层；且一般各电路层是利用激光钻孔在介电层上形成激光烧灼孔，之后再用金属材料将孔填起形成导通孔(via)结构。但由于激光照射加热的特性，所形成的激光烧灼孔径通常是一上宽下窄的倒锥状孔，造成导通孔与连接垫所接触结合的面积较小。此种结合面积较小的导通孔对于高电流的应用，可能会造成高电阻的限制，因而影响电磁信号传递性能，甚至影响导体的可靠性和产品寿命。

再者，另一种形成层间导通的方式则是以图案化光刻胶搭配电镀的方式，在图案化光刻胶裸露的电路层上电镀形成铜柱(copper pillar)，接着再移除图案化光刻胶及压合介电层，所述铜柱可以是圆柱形或可为其他形状的柱状体。此种铜柱通常是有等宽的孔径，虽较激光钻孔技术所形成的接触面积相对较大些，但为了更进一步降低与连接垫之间的结合接触面的电阻，并提高电磁信号的性能，故仍有必要提供一种封装基板的构造，以解决现有技术所存在的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种封装基板的构造，以解决现有技术所存在的电路基板接触结合面可靠度的问题。

本实用新型的主要目的在于提供一种封装基板的构造，其可以通过可调控激光照射搭配图案化光刻胶层的工艺，实现封装基板层间结合接触面积的扩增，进而降低与电路层之间的结合接触面的电阻，以提高电磁信号的性能。

为达成本实用新型的前述目的，本实用新型一实施例提供一种封装基板的构造，其中所述封装基板的构造包含：一电路层、至少一导电柱及一介电层。所述电路层具有至少一连接垫。所述导电柱形成于所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫。所述介电层覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。

与现有技术相比较，本实用新型的封装基板的构造，这样不但可使电路层及导电柱之间的电性连接结构更可靠，还可以确保芯片的信号传输效果。

附图说明

图1是本实用新型一实施例封装基板的剖面示意图。

图1A是本实用新型另一实施例封装基板的导电柱的局部放大剖面示意图。

图1B是本实用新型又一实施例封装基板的导电柱的局部放大剖面示意图。

图2是本实用新型再一实施例封装基板的剖面示意图。

图3A-3H是以剖面示意图的方式表示本实用新型一实施例制造方法的步骤。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。再者，本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「顶」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「周围」、「中央」、「水平」、「横向」、「垂直」、「纵向」、「轴向」、「径向」、「最上层」或「最下层」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。