[实用新型]一种工作温度可控的多芯片组件有效
| 申请号： | 201220533202.9 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN202888170U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 杨成刚;苏贵东;刘俊 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/34 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 工作温度 可控 芯片 组件 | ||
【权利要求书】：
1.一种温度可控多芯片组件，它具有管壳基座(1)、管脚(2)、多层低温共烧陶瓷基片(3)、片式元件(4)、集成电路芯片Ⅰ(5)、集成电路芯片Ⅱ(6)、阻带(7)和导带/键合区(8)；多层共烧陶瓷基片(3)由多层陶瓷烧结而成，在每一层含有金属化通孔、导带、裕量较大的阻带；其特征在于在多层共烧陶瓷基片(3)的第二层陶瓷版上埋置有厚膜热敏电阻(9)，其位置正对温度较敏感的集成电路芯片Ⅰ(5)；在该基片正面用多芯片三维平面方式集成有导带、阻带(7)、集成电路芯片Ⅰ(5)、集成电路芯片Ⅱ(6)、小容量电感、电容和微型元器件；在该基片背面集成有半导体热电致冷器(10)，并分别从N型半导体、P型半导体的两端通过通孔的形式连接到表面键合区。
2. 如权利要求1所述的组件，其特征在于所述陶瓷基片(3)为氮化铝陶瓷。
3. 如权利要求1所述的组件，其特征在于所述厚膜热敏电阻(9)是采用丝网印刷的方式，将厚膜电子浆料按规定的图形印刷在陶瓷基片上埋置的。
4. 如权利要求1所述的组件，其特征在于所述半导体致冷器(10)，是由P型半导体和N型半导体组成的PN结，固定在底层氮化铝陶瓷基片(3)的底面。
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