[实用新型]IGBT转接板

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子领域，尤其涉及一种IGBT转接板。

背景技术

绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Translator，简称IGBT），是一种新型复合器件，集MOSFET和晶体管的优点于一体，具有响应速度快，工作电流大，耐高压等优点，被广泛应用于电力电子领域。但是由于IGBT自身的特性，其工作时会发生擎住效应，如在IGBT关断期间，在栅极电路中会产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该关断的IGBT处于微通状态，重则将使其处于短路直通状态，因而导致门极失控；或者因电流电压过大或不稳定造成IGBT的损坏，从而无法正常工作。针对所述问题，存在多种IGBT驱动保护电路，用以连接驱动电路和IGBT。

但是，在现有技术中，IGBT的控制端口，尤其是中小功率IGBT的控制端口需要通过导线实现与驱动保护电路的连接，在此过程中器件和电路很容易发生损坏，降低了IGBT的通用化。

实用新型内容

本实用新型提供一种IGBT转接板，用以解决现有技术中中小功率IGBT与驱动保护电路连接不方便导致的不利于IGBT的通用化的缺陷。

一方面，本实用新型实施例提供一种IGBT转接板，包括：输入端口和输出端口，所述输入端口和所述输出端口之间连接有门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路；

所述输入端口，包括栅极输入端口和发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号；

所述输出端口，包括栅极输出端口和发射极输出端口，用于向绝缘栅双极晶体管IGBT输出控制信号，且所述发射极输出端口和所述发射极输入端口连接；

所述门极电阻选通电路，用于在所述IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；

所述阻容吸收电路，用于对所述驱动信号进行滤波；

所述限幅保护电路，用于对所述控制信号进行限幅；

其中，所述栅极输出端口和所述发射极输出端口以焊盘形式实现。

所述门极电阻选通电路串联在所述栅极输入端口和所述栅极输出端口之间，包括：第一二极管、第一电阻和第二电阻；

其中，所述第一二极管与所述第一电阻串联，所述第二电阻与所述第一二极管、第一电阻并联。

所述阻容吸收电路连接所述栅极输出端口和所述发射极输出端口，包括：第三电阻和第一电容；

其中，所述第三电阻与所述第一电容并联。

所述限幅保护电路连接所述栅极输出端口和所述发射极输出端口，包括：参数相同的第一稳压管和第二稳压管；

其中，所述第一稳压管和所述第二稳压管反串联连接，且所述第一稳压管的正极和所述第二稳压管的正极连接。

所述第一二极管为快速二极管；所述第一电阻和所述第二电阻为大功率电阻；

所述第三电阻为贴片电阻；所述第一电容为贴片电容。

另一方面，本实用新型实施例提供一种IGBT转接板，包括：第一输入端口、第一输出端口、第二输入端口、第二输出端口、连接在所述第一输入端口和所述第一输出端口之间的第一电路以及连接在所述第二输入端口和所述第二输出端口之间的第二电路；

所述第一电路和所述第二电路均包括门极电阻选通电路、阻容吸收电路和限幅保护电路；

所述第一输入端口，包括第一栅极输入端口和第一发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号；

所述第二输入端口，包括第二栅极输入端口和第二发射极输入端口，用于接收驱动板的驱动信号；

所述第一输出端口，包括第一栅极输出端口和第一发射极输出端口，用于向第一绝缘栅双极晶体管IGBT输出控制信号，且所述第一发射极输出端口和所述第一发射极输入端口连接；

所述第二输出端口，包括第二栅极输出端口和第二发射极输出端口，用于向第二IGBT输出控制信号，且所述第二发射极输出端口和所述第二发射极输入端口连接；

所述第一电路中的门极电阻选通电路，用于在所述第一IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；所述第二电路中的门极电阻选通电路，用于在所述第二IGBT开通和关断时提供不同阻值的门极电阻；

所述第一电路中的阻容吸收电路，用于对所述第一输入端口接收的驱动信号进行滤波；所述第二电路中的阻容吸收电路，用于对所述第二输入端口接收的驱动信号进行滤波；

所述第一电路中的限幅保护电路，用于对所述第一输出端口输出的控制信号进行限幅；所述第二电路中的限幅保护电路，用于对所述第二输出端口输出的控制信号进行限幅；