[实用新型]一种有源矩阵有机电致发光显示器件及显示装置有效
| 申请号: | 201220524778.9 | 申请日: | 2012-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN202871794U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
| 发明(设计)人: | 马占洁;皇甫鲁江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有源 矩阵 有机 电致发光 显示 器件 显示装置 | ||
1.一种有源矩阵有机电致发光显示器件,包括呈矩阵排列的多个像素结构,其特征在于,还包括:为每个所述像素结构提供电源信号的电源信号结构,所述电源信号结构包括至少两层电性相连的电源信号电极,每层所述电源信号电极具有面状结构。
2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述像素结构具有依次位于下衬底基板上的缓冲层、控制薄膜晶体管TFT结构、有机电致EL发光结构以及上衬底基板。
3.如权利要求2所述的器件,其特征在于,所述电源信号结构具体包括第一电源信号电极和第二电源信号电极;其中,
所述第一电源信号电极位于所述缓冲层与下衬底基板之间;
所述第二电源信号电极位于所述有机EL发光结构中的阴极与上衬底基板之间,且通过第二绝缘层与所述阴极相互绝缘。
4.如权利要求3所述的器件,其特征在于,所述像素结构为底部发光型,所述第一电源信号电极在与每个像素结构的发光窗口对应的区域无所述第一电源信号电极的图案。
5.如权利要求3所述的器件,其特征在于,所述像素结构为顶部发光型,所述第二电源信号电极在与每个像素结构的发光窗口对应的区域无所述第二电源信号电极的图案。
6.如权利要求3-5任一项所述的器件,其特征在于,所述第一电源信号电极和第二电源信号电极通过过孔电性相连,且所述第一电源信号电极或第二电源信号电极通过过孔与所述控制TFT结构中的有源层、源漏极或有机EL发光结构中的像素电极电性相连。
7.如权利要求3-5任一项所述的器件,其特征在于,所述第一电源信号电极和第二电源信号电极通过过孔分别与所述控制TFT结构中的有源层、源漏极、或有机EL发光结构中的像素电极电性相连。
8.如权利要求2-5任一项所述的器件,其特征在于,所述电源信号结构还包括:与所述控制TFT结构中的源漏极同层设置的电源信号线,所述电源信号线与每层所述电源信号电极并联。
9.如权利要求2-5任一项所述的器件,其特征在于,还包括:与所述有机EL发光结构中的阴极电性相连的至少一层低电平信号电极,每层所述低电平信号电极具有面状结构。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的有源矩阵有机电致发光显示器件。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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