[实用新型]提升MOS电晶体散热能力的电路结构

说明书

技术领域

本实用新型是有关于一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构，尤指一种具有散热能力佳的提升MOS电晶体散热能力的电路结构。

背景技术

随着科技的进步与电脑产业的发展，轻巧的电子产品，如笔记型电脑，已日渐成为市场主流。在此轻薄短小的电子产品中，散热能力的优劣往往影响到系统的稳定性，产品的效能，甚至是产品的使用年限。以电脑系统而言，为了能够使电脑系统所产生的热能能够快速地散逸，通常电脑系统配装风扇以作为散热装置，以使得电脑系统得以在适当的温度环境之下正常运作。

一般来说，使用于电脑系统中用以散热的风扇多由无刷直流马达来驱动。请参照第1图所示，目前现有的直流马达驱动电路主要是由一控制晶片10传送一脉宽调变讯号(Pulse Width Modulation，PWM)给马达驱动单元12，以驱动马达运转，但是该马达驱动单元12内的P型金氧半场效(PMOS)电晶体于输入电源为低(Low)电压时，此时PMOS电晶体的闸极与源极间的电压(即所称的Vgs)会较小，使得PMOS电晶体在非完全导通的情况下，导致PMOS电晶体的内阻(即所称导通电阻，Rds)变大，相对的导通功率也随之变大，进而由于PMOS电晶体的导通电阻(Rds)与其的结温有关系，所使得Tc与Tj亦随着导通电阻(Rds)而变大，以致于造成Tj降额不足的问题；

若当输入电压为高(High)电压时，该PMOS电晶体的闸极与源极间的电压(即所称的Vgs)较大，容易造成超出PMOS的Vgs规格值的风险，或是出现Vgs降额不足的问题。

此外，因控制晶片10的操作电压与输出信号(即PWM讯号)的高电平电压均为5伏特(V)，主要是用以作为该马达驱动单元12内的N型金氧半场效(NMOS)电晶体的闸极与源极间的导通电压(即NMOS电晶体的Vgs的导通电压)，但此高电平电压5伏特相对较小，让NMOS电晶体并非完全导通，以导致NMOS电晶体的导通电阻(Rds)变大，相对的导通功率也随之变大，进而由于NMOS电晶体导通电阻(Rds)与其的结温(Tj)有关系，所使得NMOS的表面温度(Tc)与Tj亦随着导通电阻(Rds)而变大，进而造成易出现Tj降额不足的问题，因此俾使马达驱动单元12内的NMOS电晶体与PMOS电晶体的散热能力一直无法有效提升改善。

以上所述，公知技术具有下列的缺点：

1.散热能力不佳；

2.PMOS电晶体的Vgs无法稳压，以导致容易发生超出PMOS电晶体的导通电压规格的风险及Tj降额不足。

3.NMOS电晶体的Vgs导通电压无法有效增大，以导致Tj降额不足。

因此，要如何解决上述现有的问题与缺失，即为本案的创作人与从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。

实用新型内容

本实用新型的另一目的，是在提供一种维持稳压该马达驱动单元内的PMOS电晶体的闸极与源极间的电压(Vgs)，以有效解决PMOS电晶体的结温(Tj)降额不足，以及降低PMOS电晶体的Vgs导通电压超出元件规格的风险。

本实用新型的另一目的，是在提供一种增大该马达驱动单元内的NMOS电晶体的闸极与源极间的电压(Vgs)，以有效解决NMOS电晶体的结温(Tj)降额不足。

为达上述目的，本实用新型是提供一种提升MOS电晶体散热能力的电路结构，应用于一马达，该电路结构包括一马达驱动单元及一信号处理单元，该马达驱动单元包含一第一开关件、一第二开关件、一第三开关件及一第四开关件，该第一、二、三、四开关件各具有一第一端、一第二端及一第三端，该第一、三开关件的第三端分别连接对应该第二、四开关件的第三端，该第一、二开关件的第二端分别连接对应该第三、四开关件的第二端；

而前述信号处理单元包含一第一稳压器、一第二稳压器、一第一增压器及一第二增压器，该第一稳压器一端连接该第一开关件的第一端，其另一端分别连接该第一开关件的第二端及一输入电压，并用以稳压该第一开关件的第一、二端间的电压，该第二稳压器的一端连接该第三开关件的第一端，其另一端分别连接该第三开关件的第二端及该输入电压，并用以稳压该第三开关件的第一、二端间的电压；所述第一增压器连接相对该第二开关件的第一端，其将接收一第一讯号的电压提高以输出至该第二开关件的第一端，该第二增压器连接相对该第四开关件的第一端，其将接收一第二讯号的电压提高以输出至该第四开关件的第一端；通过本实用新型此电路结构的设计，得有效达到提升该马达驱动单元其内的第一、二、三、四开关件的散热能力的效果，进而更有效解决第一、二、三、四开关件的结温(Tj)降额不足的效果。