[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

在显示技术领域，平板显示装置，如液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）和有机电致发光显示器（Organic Light Emitting Display，OLED），因其轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示领域占据重要的地位。

其中，作为像素开关器件的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的特性对高画质显示装置起着重要的作用。

TFT作为开关器件的工作原理简述如下：当为TFT的栅电极施加相对于地GND的电压V_g(简称栅电极电压)时，TFT的栅电极和与数据线相连的漏电极之间会产生一个电场，TFT在该电场的作用下形成的电子沟道使与像素电极相连的源电极与所述漏电极通过TFT的半导体层导通，栅电极和源电极之间的正向电压差（也即阈值电压V_th）越大，导电沟道越宽，导通电流也越大，对像素电极的充电能力也越强；当为TFT的栅电极施加相对于地GND的负电压时，源电极与漏电极关闭，这就是TFT的开关特性。对像素电极的充电能力越高，可以使得像素电极彻底充放电，从而提高图像画质。

由此可见，TFT的半导体层电子迁移率越高，导电沟道越宽，导通电流也越大。

目前，使用金属氧化物作为TFT半导体层明显可以提高TFT的导通电流，这是因为，金属氧化物半导体层的电子迁移率是非晶硅半导体层的电子迁移率的5~10倍。当半导体层的材料确定后，TFT的导电性能（这里主要指导通电流）取决于TFT的结构。

参见图1，为现有TFT俯视示意图，包括：源电极15、漏电极16、栅电极11，与栅电极11相连的扫描线17以及与漏电极16相连的数据线18。

其中，TFT上的源电极15和漏电极16的数量各为一个。

当TFT导通时，导通电流由漏电极16通过导电沟道流向源电极15，漏电极16与源电极15之间的距离决定沟道的长度，漏电极16与源电极15的大小决定导电沟道的宽度（在像素TFT中，由于漏电极和源电极的直径大小一般在几微米量级，源电极与漏电极的图案一般为具有一定直径的圆，也可以等效为具有一定边长的正方形，为了提高TFT的性能，增加导电沟道的宽度，可以通过增大源电极和漏电极的面积实现，但是增大源电极的面积会存在下述问题：

源电极和漏电极的面积增大，所占子像素区域的面积也变大，源电极是与TFT的像素电极相连，尤其是当源电极面积较大时，可能会导致TFT的开口率下降。更重要的是，当源电极的面积较大时，源电极与半导体层之间的电容变大，在像素电极的电压跳变的情况下会引起显示图像的色偏（色偏即针对每一像素显示颜色和理论颜色有偏差）。

现有薄膜晶体管TFT在保证较小的源电极电容下导电沟道较小，TFT导通电流较小，TFT性能较低。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以提高TFT的性能，提高图像的画质。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供的薄膜晶体管，包括：

基板；

形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层；

形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层；其中，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。

本实用新型实施例提供的阵列基板，包括所述薄膜晶体管。

本实用新型实施例提供的显示装置，包括所述阵列基板。

本实用新型实施例提供的薄膜晶体管TFT，每一TFT形成一个源电极和至少两个漏电极，每一个漏电极通过过孔和半导体层相连，源电极和漏电极之间形成导电沟道，本实用新型所述的薄膜晶体管，每个TFT形成的导电沟道不止一个，增加了导电沟道的有效宽度，增加了TFT半导体层的导通电流，提高了TFT的性能。并且在导通电流增加的同时，由于漏电极共用一个源电极，源电极的面积相对于现有的TFT的设计方式，并没有增大，源电极的电容也没有增大，整个显示装置的图像显示画质得到提高。

附图说明

图1为现有技术具有一个漏电极的TFT部分结构俯视示意图；

图2为本实用新型实施例提供的阵列基板整体结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的底栅型TFT结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的顶栅型TFT结构示意图；