[实用新型]参考电流产生电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种参考电流产生电路，特别是一种采用CMOS电路结构的参考电流产生电路。

背景技术

在一些对电流触发或需要对电流差进行分析得电路中，都要设定一参考电压，现有技术中一般选用接地为参考电流。现有的参考电流产生电路一般通过双极型晶体管和电阻实现，但是双极型晶体管的开关特性不是很快，开/关的状态切换曲线比较缓，满足不了高速电路对精确稳定的参考电流的需求；同时双极型晶体管在半导体电路中与其他数字电路的工艺不兼容，切占用芯片面积较大，增加了生产工艺和芯片面积，因此增加了成本。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种采用CMOS结构的参考电流产生电路。

本实用新型采用的技术方案是这样的：本实用新型的一种参考电流产生电路，该电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和电阻。

所述第一PMOS管的源极接电压源，栅极接地，漏极与第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极连接；第二PMOS管的源极通过电阻连接电压源，栅极与第四PMOS管的栅极和漏极、第五PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极连接，漏极与第三PMOS管的源极连接；第三PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极和漏极、第五NMOS管的漏极连接，漏极与第三NMOS管的漏极和栅极、第五NMOS管的栅极连接；第四PMOS管的源极与电压源连接。所述第一NMOS管的源极接地；第二NMOS管的源极接地，栅极与第三NMOS管的源极、第四NMOS管的栅极和漏极、第六NMOS管的栅极连接；第四NMOS管的源极接地；第六NMOS管的源极接地，漏极连接第五NMOS管的源极。

在上述的电路中，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管为参数相同的PMOS管，所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管为参数相同的NMOS管。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：产生的参考电流较稳定，切与集成电路中的其他数字电路器件工艺兼容，不用增加额外工艺，切占用芯片面积较小，降低成本。

附图说明

图1是本实用新型参考电流产生电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，是本实用新型参考电流产生电路的电路原理图。

本实用新型的一种参考电流产生电路，该电路包括五个参数相同的PMOS管、六个参数相同的NMOS管和一个电阻R。五个参数相同的PMOS管分别为：第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4和第五PMOS管P5，六个参数相同的NMOS管分别为：第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5和第六NMOS管N6。

下面结合附图1对本实用新型的上述的元件器件间的连接关系做进一步的详细说明。

所述第一PMOS管P1的源极接电压源VDD，栅极接地，漏极与第一NMOS管N1的栅极和第二NMOS管N2的漏极连接；第二PMOS管P2的源极通过电阻R连接电压源VDD，栅极与第四PMOS管P4的栅极和漏极、第五PMOS管P5的漏极、第一NMOS管N1的漏极连接，漏极与第三PMOS管P3的源极连接；第三PMOS管P3的栅极与第五PMOS管P5的栅极和漏极、第五NMOS管N5的漏极连接，漏极与第三NMOS管N3的漏极和栅极、第五NMOS管N5的栅极连接；第四PMOS管P4的源极与电压源VDD连接。所述第一NMOS管N1的源极接地；第二NMOS管N2的源极接地，栅极与第三NMOS管N3的源极、第四NMOS管N4的栅极和漏极、第六NMOS管N6的栅极连接；第四NMOS管N4的源极接地；第六NMOS管N6的源极接地，漏极连接第五NMOS管N5的源极。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。