[实用新型]一种八寸晶圆框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工技术领域，具体涉及一种八寸晶圆框架。 

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再把许多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为积体电路工厂的基本原料-硅晶圆片，这就是“晶圆”。 

然而，由于晶圆较薄易碎，在晶圆片的加工过程中，必须对其整个面积进行支撑，以防止不必要的损坏。一种保护薄晶圆的常见方法涉及使用粘性层将薄晶圆暂时接合到平板上，从而利用晶圆框架来防止薄晶圆横向移动。 

因此，如何设计一种对晶圆支撑效果好，易于加工，且能牢固安装到设备上的晶圆框架，是本行业技术人员亟待解决的技术问题。

实用新型内容 

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种安装牢固应用效果好的晶圆框架，通过将所述框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且截取的边缘两两平行，并分别与两个相垂直的直径平行；且四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使 得晶圆加工时支撑效果好，易于加工。 

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下： 

一种八寸晶圆框架，包括一框架主体，所述框架主体为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；在此其截取位置四条边定义为截取边，相邻所述截取边之间的框架主体弧形外边缘部分定义为弧形边；其中，间隔的两个所述截取边相互平行，相邻的两个所述截取边相互垂直；且四条所述截取边中的其中一条截取边两端设有两个齿形缺口，所述两个齿形缺口中的一个齿形缺口夹角为60°，另一个齿形缺口夹角为120°。 

优选的，所述框架主体内径为250mm，所述弧形边到圆心的距离为148mm,两条所述平行的截取边之间的距离为276mm，所述齿形缺口夹角为60°的缺口底部到与两齿形缺口之间的截取边相平行的直径之间的距离为122mm，所述齿形缺口夹角为120°的缺口底部到与两齿形缺口之间的截取边相平行的直径之间的距离为123.4mm。 

从上述的技术方案能够看出，本实用新型所公开的一种八寸晶圆框架，通过将框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且截取的边缘两两平行，并分别与两个相垂直的直径平行；且靠近四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工，从而达到了设计合理、结构简单、且固定牢固应用效果好的目的。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本实用新型实施例所公开的一种八寸晶圆框架的结构示意图。 

图中的数字或字母所表示的相应部件的名称： 

1、框架主体   11、截取边    12、弧形边    13、60°夹 

角齿形缺口    14、120°夹角齿形缺口 

具体实施方式

下面将结合附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护的范围。 

本实用新型公开了一种八寸晶圆框架，通过将所述框架主体设计为圆环形被沿其外边缘截取四部分后的形状；且截取的边缘两两平行，并分别与两个相垂直的直径平行；且四条所述截取边中的其中一条边两端设有两个齿形缺口，使得晶圆加工时支撑效果好，易于加工，安装牢固应用效果好的。 

实施例.