[实用新型]一种TN型的液晶显示面板及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201220512672.7 申请日: 2012-10-08
公开(公告)号: CN202837757U 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 王世君 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 tn 液晶显示 面板 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及液晶显示面板制备技术领域,特别涉及一种TN型的液晶显示面板及液晶显示装置。

背景技术

在液晶显示技术领域,小尺寸的便携终端中多采用TN型液晶显示面板,且随着小尺寸便携终端产品设计的普遍开展,液晶显示面板中像素之间的间距越来越小,像素密度越来越大。

像素密度越大,液晶显示面板的产品性能越好,但是,像素密度越大,液晶显示面板的耗能越高。

因此,如何在保证液晶显示面板产品特性的同时降低液晶显示面板的功耗成为本领域技术人员需要解决的一个主要问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种TN型的液晶显示面板,该液晶显示面板能够降低液晶便携终端的耗能。

为达到上述目的,本实用新型提供以下技术方案:

一种TN型的液晶显示面板,包括相对设置的薄膜晶体管TFT阵列基板和彩膜基板,所述TFT阵列基板具有多条数据线和多条栅线;所述彩膜基板朝向所述TFT阵列基板的一面具有公共电极层,所述彩膜基板的公共电极层具有与所述TFT阵列基板的栅线以及数据线相对的镂空结构。

优选地,所述TFT阵列基板中具有多个跳线区域,每一个所述跳线区域中不同金属膜层之间通过过孔连接,所述公共电极层与所述跳线区域相对的位置具有镂空结构。

优选地,所述TFT阵列基板中具有多个跳线区域,每一个所述跳线区域中不同金属膜层之间通过过孔连接,所述公共电极层与所述跳线区域之间具有绝缘层。

优选地,所述绝缘层位于所述彩膜基板。

优选地,所述绝缘层位于所述TFT阵列基板。

优选地,所述绝缘层由SiO2或SiNx制备而成。

本实用新型还提供了一种液晶显示装置,包括上述技术方案中提到的任一种TN型液晶显示面板。

本实用新型提供的TN型的液晶显示面板,包括相对设置的薄膜晶体管TFT阵列基板和彩膜基板,所述TFT阵列基板具有多条数据线和多条栅线;所述彩膜基板朝向所述TFT阵列基板的一面具有公共电极层,所述彩膜基板的公共电极层具有与所述TFT阵列基板的栅线以及数据线相对的镂空结构。

本实用新型提供的TN型液晶显示面板中,彩膜基板中的公共电极层与数据线以及栅线正对交叠的地方具有镂空结构,可以减小彩膜基板中公共电极层与数据线线和栅线的正对面积,减小公共电极层与数据线和栅线之间的正对电容,从而减小栅线和数据线的总电容,对于小尺寸的便携终端来说,电容的减小可以有效的降低产品的负载,从而达到降低功耗的效果。

因此,本实用新型提供的TN型液晶显示面板能够降低小尺寸液晶便携终端的耗能。

附图说明

图1为本实用新型提供的TN型液晶显示面板的彩膜基板中公共电极层与像素单元内的数据线以及栅线相对的位置的镂空结构示意图;

图2为现有技术中TN型液晶显示面板中阵列基板的跳线区域受到挤压时跳线导电电极与彩膜基板中公共电极层短路时的结构示意图;

图3为本实用新型提供的TN型液晶显示面板彩膜基板的公共电极层与阵列基板的跳线区域相对位置的结构示意图;

图4为图3所示区域受挤压时公共电极层与阵列基板跳线区域的导电电极之间的状态示意图;

图5为本实用新型提供的TN型液晶显示面板彩膜基板的公共电极层设置的与阵列基板跳线区域相对的镂空结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1和图3所示,本实用新型提供的TN型的液晶显示面板,包括相对设置的薄膜晶体管TFT阵列基板和彩膜基板,TFT阵列基板具有多条数据线01和多条栅线02;彩膜基板朝向TFT阵列基板的一面具有公共电极层03,如图2和图3所示,彩膜基板的公共电极层03具有与TFT阵列基板的栅线02以及数据线01相对的镂空结构,如图1中所示,公共电极层03中与数据线01对应的第一镂空槽031和与栅线02对应的第二镂空槽032。

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