[实用新型]一种半导体设备保护用熔断体

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备保护用熔断体，该熔断体用于50Hz的工频电路，单体熔断体的额定电压交流1000V，额定电流1000A至3900A，双拼熔断体的额定电流可达到7000A。

背景技术

熔断体作为整流设备及其相关设备（包括变频器、软启动等）、半导体元件及其组成的成套设备的短路保护之用。目前，常见的半导体设备保护用熔断体一般均包括熔管，设于熔管内的若干片熔体和设于熔管两端的接触板（触刀），熔管内以石英砂填充。由于电流热效应被迅速加热，局部温度迅速升高直至熔体熔断以分断电路。但是，目前的同类产品中大多数型号额定电流都不大，通常需要多个熔断体并联才可以满足大电流应用场合的保护要求。此外，通常的熔断体安装形式单一，其次用作熔管的普通绝缘管，不仅耐高温性能和耐腐蚀性能较差，也不够美观。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术中额定电流不大的现状，提供一种半导体设备保护用熔断体，它的额定电压更高，熔断特性稳定，对电路的保护更为可靠。

实现上述目的的技术方案是：一种半导体设备保护用熔断体，包括熔管、一对接触板、多片熔体、灭弧介质及熔断指示器，其中，

所述熔管呈外方内圆的结构或外方内方的结构；

所述接触板的内表面上均布地设有多道平行的压痕，一对所述接触板装配在所述熔管的两端；

每片所述熔体的表面上在沿长度方向间隔一致地开设数列孔，每列孔中含有多个直径相同且纵向间隔距离为δ的圆孔，每片所述熔体的两头分别向同一方向弯折后一一对应地点焊在所述接触板的压痕上，以使多片熔体等间距地且与所述熔管的轴线平行地设在熔管的内腔；

所述灭弧介质填充在所述熔管的内腔；

所述熔断指示器设在所述熔管上开设的指示孔中与并与设在熔管外一撞击器连接。

上述的半导体设备保护用熔断体，其中，一对所述接触板分别通过盖板装配在所述熔管的两端。

上述的半导体设备保护用熔断体，其中，所述撞击器的两端分别连接在一对所述接触板上。

上述的半导体设备保护用熔断体，其中，所述熔管采用95号氧化铝陶瓷制作。

上述的半导体设备保护用熔断体，其中，所述熔体采用99.9％纯银制作。

本实用新型的半导体设备保护用熔断体与现有技术相比具有如下优点：

1.额定电流更大，不必拼接即可单独保护大容量设备；

2.熔断特性稳定，对电路的保护更为可靠；

3.熔体的结构改善了电性能和热性能，工作温升和散热能力都得到了改善；

4.安装形式多样化；

5.采用95号氧化铝陶瓷作为熔管，使熔断体的外形更加美观。

附图说明

图1a为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的外形图；

图1b为图1a的俯视图；

图2为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的半剖面图；

图3为本实用新型的半导体设备保护用熔断体中的熔体的结构示意图；

图4为本实用新型的半导体设备保护用熔断体中接触板的结构示意图；

图5为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的一种实施例的俯视图；

图6a为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的一种与电路连接的示意图；

图6b为图6a的俯视图；

图7a为两个本实用新型的半导体设备保护用熔断体拼接后与电路连接的示意图；

图7b为图7a的俯视图。

具体实施方式

为了能更好地对本实用新型的技术方案进行理解，下面通过具体地实施例并结合附图进行详细地说明：

请参阅图1a图1b至图4，本实用新型的半导体设备保护用熔断体，包括熔管1、一对接触板2、多片熔体3、灭弧介质4、熔断指示器5及撞击器，其中，

熔管1呈外方内圆的结构，熔管采用95号氧化铝陶瓷制作，该材料不仅将有良好的耐高温、耐腐蚀和绝缘性能，外观也较为美观；

一对接触板2的内段呈与熔管1的内腔适配的圆平板，并且该圆平板的内表面上均布地设有多道平行的压痕21，一对接触板2分别通过盖板22装配在熔管1的两端；