[实用新型]一种太阳能电池主栅线有效
申请号: | 201220510234.7 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN202917500U | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 许佳平;王单单;金井升;黄纪德;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 上饶光电高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 334100 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 主栅线 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池领域,尤其涉及一种太阳能电池主栅线。
背景技术
工业化生产的晶体硅太阳能电池在正面电极一直采用H形状结构,即为两根或者三根主栅均匀分布在晶体硅太阳能电池的正面,主栅上汇接有等距离均匀分布的细栅线,每根细栅线收集的电流近似相等。在太阳能电池的测试过程中,6至11对探针同时压接在主栅上。主栅上的探针压接区将附近的细栅线收集的电流汇聚起来,由探针输出进行测试。
近年来,随着银价的上涨,正面电极栅线占晶体硅太阳能电池非硅成本的比重越来越大,已达到甚至超过50%,减少正面电极栅线的银耗量已经成为降低晶体硅太阳能电池成本的重要途径。
专利CN202076273U提出了一种镂空的主栅结构,如图1所示,保留主栅上探针压接区的银电极101,主栅上探针压接区外只保留左右两侧与细栅相连接的窄栅线102。这种电极结构将银浆耗量减少了30%~40%。另外一种降低银浆耗量的主栅结构是,保留主栅上探针压接区的银电极,主栅上探针压接区外的与细栅相连接的窄栅线位于主栅的中线位置。
发明人发现,此种镂空主栅结构,由于银电极宽度很小,故电阻很大,而且越靠近主栅探针压接区,矩形窄栅线汇聚的电流越大,银电极本身的电阻损耗的功率就会增加,导致太阳能电池的最大有效功率减小,降低了太阳能电池的填充因子。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种太阳能电池主栅线,保证在减少太阳能电池主栅线银浆耗量,节约成本的同时,减少主栅线的电阻损耗,增大太阳能电池的最大有效功率,提高太阳能电池的填充因子。
为实现上述目的,本实用新型实施例提供了如下技术方案:
一种太阳能电池主栅线,包括:
多个探针压接区;
电连接多个探针压接区的多段连接区,所述连接区与所述探针压接区相间分布;
其中,每段连接区包括至少一根窄栅线,所述窄栅线的中部宽度最小,并从中部沿靠近探针压接区的方向,宽度逐渐加大。
优选的,每段连接区包括一根窄栅线时,所述窄栅线为两个顶部相接的梯形结构,且梯形的底部与探针压接区的中部相连。
优选的,每段连接区包括两根窄栅线时,所述窄栅线为两个顶部相接的梯形结构,且梯形的底部与探针压接区的边缘相连,使所述连接区呈类似梯形镂空结构。
优选的,所述梯形结构的底部宽度在0.2mm~0.7mm之间,包括端点值。
优选的,所述梯形结构的顶部宽度在0.05mm~0.2mm之间,包括端点值。
优选的,所述梯形结构的顶部位于两个相邻探针压接区之间区域的中间位置。
优选的,所述梯形结构的高度在5mm~7mm之间,包括端点值。
与现有技术相比,本实用新型实施例具有以下优点:
本实用新型实施例提供的太阳能电池主栅线,将连接多个探针压接区的多段连接区设置为类似梯形结构,即连接区的宽度与靠近探针压接区的距离成反比,即越靠近探针压接区,连接区的窄栅线的宽度就越大,根据电阻率的计算公式,电阻率的大小与截面积成反比,截面积越大,电阻率越小,那么这种宽度渐变的连接区的窄栅线,越靠近探针压接区,连接区的梯形窄栅线的电阻就越小,在电流不变的情况下,多段连接区的电阻损耗功率就会相对减小,从而增大了太阳能电池的最大有效功率,提高了太阳能电池的填充因子。同时这种栅线结构也是采用镂空结构,也能保证可以降低银浆耗量,降低太阳能电池的成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为传统的太阳能电池主栅线;
图2为本实用新型实施例一提供的一种太阳能电池主栅线;
图3为本实用新型实施例二提供的一种太阳能电池主栅线;
图4为本实用新型实施例三提供的一种太阳能电池主栅线。
具体实施方案
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型,但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广,因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的