[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201220507691.0 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202841632U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 谢志国;李程 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括支架以及至少两组安装在所述支架上电路相互独立的发光单元，所述发光单元包括至少一颗LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述发光单元包括两组电路相互独立的发光单元，分别是常用发光单元与备用发光单元。
3.根据权利要求2所述的一种发光二级管，其特征在于，所述常用发光单元的结构包括至少2颗LED芯片，受电极V1+、V1-控制，且所述LED芯片集中在支架的左边位置;所述备用发光单元的结构包括至少2颗LED芯片，受电极V2+、V2-控制，且所述LED芯片集中在常用发光单元的右侧。
4.根据权利要求3所述的一种发光二级管，其特征在于，所述常用发光单元的结构是由至少2颗LED芯片串联连接而成，受电极V1+、V1-控制，且所述LED芯片集中在支架的左边位置，呈M行XN列的矩阵排列;所述备用发光单元的结构是由至少2颗LED芯片串联连接而成，受电极V2+、V2-控制，且所述LED芯片集中在常用发光单元的右侧，呈E行XF列的矩阵排列;M、N、E、F为整数且大于或等于1。
5.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于，所述常用发光单元的结构包括至少2颗LED芯片，受电极V1+、V1-控制，且所述LED芯片集中在支架的中央位置;所述备用发光单元的结构包括至少2颗LED芯片，受电极V2+、V2-控制，且所述LED芯片分居在常用发光单元的两侧位置。
6.根据权利要求5所述的一种发光二极管，其特征在于，所述常用发光单元的结构是由至少2颗LED芯片串联连接而成，受电极V1+、V1-控制，且所述LED芯片集中在支架的中央位置，呈M行XN列的矩阵排列;所述备用发光单元的结构是由至少2颗LED芯片串联连接而成，受电极V2+、V2-控制，且所述LED芯片分居在常用发光单元的两侧位置，呈E行XF列的矩阵排列；M、N、E、F为整数且大于或等于1。
7.根据权利要求4或6任一所述的一种发光二极管，其特征在于，所述LED芯片电极是通过导线与支架电性连接，且所述LED芯片的正极与相邻的LED芯片的负极通过导线电性连接。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，所述支架为陶瓷线路板、硬式印刷电路板或金属芯线路板。
9.根据权利要求1所述的一种发光二级管，其特征在于，在所述发光单元周围设有围坝。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，在所述LED芯片上还覆盖有封装胶体。
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