[实用新型]辐射抑制装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及辐射抑制技术，尤其涉及一种辐射抑制装置。

背景技术

电磁兼容性（Electro Magnetic Compatibility，EMC）认证包括两个方面的要求：一方面是指设备在正常运行过程中对所在环境产生的电磁干扰不能超过一定的限值，另一方面是指设备对所在环境中存在的电磁干扰具有一定程度的抗扰度。目前EMC认证的辐射发射（Radiated Emission，RE）测试频段为30MHZ-6GHZ，最高可达40GHZ。测试频率越高，设备的屏蔽难度越大，使设备在高频段的EMC设计越困难。

硬盘为存储设备中的重要部件，存储设备在出厂前需要进行EMC测试，由于硬盘自身的共模噪声很大，会驱动硬盘的连接器辐射，导致存储设备的辐射超标，EMC认证失败。

现有技术中，主要是通过改进存储设备的结构来加强存储设备的屏蔽结构，屏蔽硬盘的辐射，减少硬盘的向外辐射。但在高频情况下，屏蔽结构的屏蔽效果有限，当为了满足散热要求，在存储设备的机箱上开通风孔时，屏蔽结构的屏蔽效果更差，硬盘的向外辐射更高。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种辐射抑制装置，用于解决硬盘的向外辐射过高的问题。

本实用新型的一方面提供一种辐射抑制装置，包括：

硬盘和由吸波材料制成的辐射吸收块；

所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，所述辐射吸收块用于吸收所述硬盘的向外辐射，所述第一平面为所述硬盘的连接器所在平面，所述第一指定位置为所述第一平面上除所述连接器所在位置外的其他位置。

如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为：

所述辐射吸收块固定贴在所述第一指定位置上。

如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为：

所述辐射吸收块固定贴在第二平面的第二指定位置上，所述第二平面为背板的面向所述第一平面的平面，所述第二指定位置为所述第二平面上与所述第一指定位置相对应的位置，所述背板为安装所述硬盘的机箱的背板。

如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为：

所述辐射吸收块固定贴在第三平面的第三指定位置上，所述第三平面为支架的面向所述第一平面的平面，所述第三指定位置为所述第三平面上与所述第一指定位置相对应的位置，所述支架位于所述硬盘与所述背板之间，固定在所述背板上。

如上所述的辐射抑制装置，所述硬盘和所述辐射吸收块分别为多个，每个所述硬盘对应一个所述辐射吸收块。

如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块的厚度为1mm-5mm。

如上所述的辐射抑制装置，所述第一指定位置为长方形，所述第一指定位置的长度与所述硬盘的宽度相等。

如上所述的辐射抑制装置，所述第一指定位置的宽度的值为所述硬盘的厚度与所述连接器的宽度的差值。

如上所述的辐射抑制装置，所述第一平面上设置有第一通风孔，则所述辐射吸收块的与所述第一通风孔对应的位置上设有第二通风孔。

如上所述的辐射抑制装置，所述第一通风孔和所述第二通风孔分别为多个，每个所述第一通风孔对应一个所述第二通风孔，所述第一通风孔与所述第二通风孔的形状和大小相同。

本实用新型通过将辐射吸收块放置在硬盘的指定位置上，以使辐射吸收块吸收硬盘辐射的能量，从而减少硬盘的向外辐射。

附图说明

图1a为本实用新型辐射抑制装置一个实施例的结构示意图；

图1b为本实用新型辐射抑制装置一个实施例的俯视图；

图1c为本实用新型辐射抑制装置一个实施例的左视图；

图1d为本实用新型辐射抑制装置一个实施例的正视图；

图2a为本实用新型辐射抑制装置辐射吸收块厚度的俯视图；

图2b为本实用新型辐射抑制装置辐射吸收块厚度和宽度的左视图；

图3为本实用新型辐射抑制装置辐射吸收块带第二通风孔的正视图；

图4a为本实用新型辐射抑制装置又一个实施例的俯视图；

图4b为本实用新型辐射抑制装置又一个实施例的左视图；

图5a为本实用新型辐射抑制装置另一个实施例的俯视图；

图5b为本实用新型辐射抑制装置另一个实施例的左视图；

图6为本实用新型辐射抑制装置又一个实施例的正视图。

具体实施方式