[实用新型]磁敏电阻特性实验仪有效
申请号: | 201220498209.1 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN202948627U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 王吉有;庞天奇;王剑波;段苹 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G09B23/18 | 分类号: | G09B23/18 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 特性 实验 | ||
技术领域:
本实用新型涉及教学仪器,特别是一种磁敏电阻特性的测量仪器。
背景技术:
磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的,常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中,沿长度方向有电流通过时,若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场,半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。
实用新型内容:
本实用新型的目的是制作一种实验教学仪器,用来磁敏电阻的特性研究。
本发明采用如下技术方案:一种磁敏电阻特性实验仪,其特征在于:包括:电磁铁,电源,磁敏电阻,万用表,温度传感器,温度表。
电源连接到电磁铁,万用表连接到磁敏电阻,磁敏电阻放在电磁铁中间;温度传感器与电磁铁相距1至5厘米,温度表连接到温度传感器。通过调节电源,改变电磁铁空隙的磁场强度,研究磁敏电阻阻值与磁场强度的关系。
本实用新型的优点:可以快速简单地研究磁敏电阻的阻值随磁场强度变化的特性。
附图说明:
图1为本实用新型的结构示意图。
图中:1、电磁铁,2、磁敏电阻,3、万用表,4、电源,5、温度传感器,6、温度表。
具体实施方式:
电源4连接到电磁铁1,万用表3连接到磁敏电阻2,温度传感器5与电磁铁1紧贴,温度表6连接到温度传感器5。
如图1所示,给电源4供电,万用表3的电阻功能测量磁敏电阻2的阻值,调节电源4供给电磁铁1的电流(从零开始,从小到大),从电源4上可以看到电流的大小,记录不同供电电流和对应的磁敏电阻2的阻值。使用特斯拉计测量磁敏电阻处的磁场强度,核定仪器的磁场强度系数,研究磁敏电阻的阻值与所处磁场强度的关系。温度表6通过温度传感器5测量出实验环境温度,确定磁敏电阻的测量的温度条件。
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