[实用新型]磁敏电阻特性实验仪有效

专利信息
申请号: 201220498209.1 申请日: 2012-09-26
公开(公告)号: CN202948627U 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 王吉有;庞天奇;王剑波;段苹 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G09B23/18 分类号: G09B23/18
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电阻 特性 实验
【说明书】:

技术领域:

本实用新型涉及教学仪器,特别是一种磁敏电阻特性的测量仪器。 

背景技术:

磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的,常用InSb(锑化铟)材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中,沿长度方向有电流通过时,若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场,半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。 

实用新型内容:

本实用新型的目的是制作一种实验教学仪器,用来磁敏电阻的特性研究。 

发明采用如下技术方案:一种磁敏电阻特性实验仪,其特征在于:包括:电磁铁,电源,磁敏电阻,万用表,温度传感器,温度表。 

电源连接到电磁铁,万用表连接到磁敏电阻,磁敏电阻放在电磁铁中间;温度传感器与电磁铁相距1至5厘米,温度表连接到温度传感器。通过调节电源,改变电磁铁空隙的磁场强度,研究磁敏电阻阻值与磁场强度的关系。 

本实用新型的优点:可以快速简单地研究磁敏电阻的阻值随磁场强度变化的特性。 

附图说明:

图1为本实用新型的结构示意图。 

图中:1、电磁铁,2、磁敏电阻,3、万用表,4、电源,5、温度传感器,6、温度表。 

具体实施方式:

电源4连接到电磁铁1,万用表3连接到磁敏电阻2,温度传感器5与电磁铁1紧贴,温度表6连接到温度传感器5。 

如图1所示,给电源4供电,万用表3的电阻功能测量磁敏电阻2的阻值,调节电源4供给电磁铁1的电流(从零开始,从小到大),从电源4上可以看到电流的大小,记录不同供电电流和对应的磁敏电阻2的阻值。使用特斯拉计测量磁敏电阻处的磁场强度,核定仪器的磁场强度系数,研究磁敏电阻的阻值与所处磁场强度的关系。温度表6通过温度传感器5测量出实验环境温度,确定磁敏电阻的测量的温度条件。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220498209.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top