[实用新型]用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置

权利要求书

1.一种用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置，其特征在于，包括： 

具有浅沟槽隔离结构的基底基板； 

第一金属层，形成在所述浅沟槽隔离结构上，具有限定阳极、阴极、和连接在所述阴极与阳极之间的熔丝颈的形状； 

未掺杂的多晶区域，形成在所述第一金属层的所述熔丝颈上；以及 

第二金属层，具有形成在所述第一金属层上且位于所述多晶区域的相对侧上的第一部分和第二部分，所述第二金属层的所述第一部分形成在所述阳极上，而所述第二金属层的所述第二部分形成在所述阴极上。 

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多晶区域仅在所述第一金属层的所述熔丝颈上形成，并且分开所述第二金属层的所述第一部分和第二部分。 

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多晶区域具有高于所述第一金属层和所述第二金属层的电阻。 

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层和所述多晶区域的厚度。 

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层的厚度在5-30nm之间，而所述第二金属层的厚度在30-70nm之间。 

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括设置在所述浅沟槽隔离区域和所述第一金属层之间的高-K电介质层。 

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述熔丝颈中的所述第一金属层的宽度小于在所述阳极或阴极中的所述第一金属层的相应宽度。 

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述熔丝颈中的所述第一金属层的宽度为20-50nm。 

9.一种用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置，包括： 

（a）具有浅沟槽隔离STI结构的基底基板； 

（b）阳极，包括 

（b1）第一金属层的第一部分； 

（b2）第二金属层的第一部分，设置在所述第一金属层的所述第一部分上并与其接触； 

（c）阴极，包括 

（c1）所述第一金属层的第二部分； 

（c2）所述第二金属层的第二部分，设置在所述第一金属层的所述第二部分上并与其接触； 

（d）将所述阳极连接至所述阴极的熔丝颈，包括 

（d1）所述第一金属层的第三部分； 

（d2）未掺杂的多晶区域，设置在所述第一金属层的所述第三部分上并与其接触，所述多晶区域设置在所述第二金属层的所述第一部分和第二部分之间并将两者分开； 

其特征在于，所述第一金属层的所述第一部分、第二部分和第三部分以连续方式横向地设置在所述浅沟槽隔离结构上，从而在编程之前提供从阳极到阴极的低电阻电流通路。 

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。